N
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
Elektrische Eigenschaften
TC = 85 °C TC = 60 °C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter H VDRM,VRRM 6000 7000 ITRMSM ITAVM ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 6500 V V 2600 A 1230 A 1660 A 35000 A 34000 A 6120 10³ A²s 5780 10³ A²s 300 A/µs 2000 V/µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max Kenndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie on-state characteristic 200A ≤ iF ≤ 2500A
Tvj = Tvj max , iT = 2000A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT typ. A B C D A B C D
typ. max. typ. max. typ. max.
2,55 V 2,7 V 1,12 V 1,18 V 0,714 mΩ 0,759 mΩ
max.
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ iT
Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: C. Schneider approved by: J. Przybilla
Tvj = 25°C, vD = 12 V Tvj = 25°C, vD = 12 V Tvj = Tvj max , vD = 12 V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12 V
IGT VGT IGD VGD IH
0,00017 0,000408 0,159 0,0117 0,00016 0,000509 0,184 0,00634 350 mA max. max. max. max. max. max. max. max. max. 2,5 V 20 mA 10 mA 0,4 V 350 mA 3A 400 mA 2 µs
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω IL iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs date of publication: revision: i D, i R tgd
2006-05-04 5
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
= 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische =Eigenschaften T T
RM DM DRM D T th vj vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
typ.
600
µs
Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current
Qr
max.
10
mAs
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
250
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
RthJC
max. max. max. max.
0,0097 0,009 0,017 0,0195
°C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH
Tvj max Tc op Tstg
max. 0,0025 °C/W max. 0,005 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz DIN 46244 Gate Kathode /Cathode G F
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36...52 A 4,8x0,8 A 6,3x0,8 typ.
kN
1700 g 33 mm 50 m/s²
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
Maßbild
45 1 2
1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Cathode (control terminal)
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n Rthn [°C/W] 1
0,00223 2 0,01023 9,2 0,01273 11,4
2
0,0027 0,44 0,0027 0,44 0,0027 0,44
3
0,0028 0,11 0,0028 0,11 0,0028 0,11
4
0,0008 0,015 0,0008 0,015 0,0008 0,015
5
0,00047 0,0041 0,00047 0,0041 0,00047 0,0041
6
7
τn [s]
Rthn [°C/W]
anodenseitig anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig cathode-sided
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax n=1
Σ
Rthn 1 − e
τn
-t
0,025
0,02 ci Zth JC [K/W] ai 0,015
0,01 bi 0,005
0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
0 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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3000
Datenblatt / Data sheet
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Diagramme Diagramme
Durchlasskennlinie
2500
2000
typ.
max.
iT [A]
1500
1000
500
0 0 0,5 1 1,5 vT [V] 2 2,5 3 3,5
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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30 20
Datenblatt / Data sheet
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Durchlassverluste
10
c 5 a -40°C 2 +25°C b
v G [ V]
+125°C 1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
iG [ mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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20
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
Tc beidseitig
18
16
14
12
Qr [ mAs]
10
8
6
4
2
0 0 5 10 15 -di/dt [A/µs] 20 25 30 35
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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600
Datenblatt / Data sheet
T 1201N
Ta bei Sinus
500
400
IRM [ A]
300
200
100
0 0 5 10 15 -di/dt [A/µs] 20 25 30 35
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Datenblatt / Data sheet
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