N
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Elektrische Eigenschaften
VDRM,VRRM 6000 7000 VDRM,VRRM 6200 7200 ITRMSM TC = 85 °C TC = 60 °C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter H ITAVM ITSM I²t (diT/dt)cr (dvD/dt)cr 6500 V V 6700 V V 510 A 245 A 325 A 4700 A 4200 A 110,5 10³ A²s 88,2 10³ A²s 300 A/µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max Kenndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = 0°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie on-state characteristic
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅ iT
Tvj = Tvj max , iT = 500A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT typ. A B C D A B C D
typ. max. typ. max. typ. max.
3,25 V 3,4 V 1,24 V 1,29 V 3,97 mΩ 4,18 mΩ
max.
Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: J. Przybilla approved by: R. Keller
Tvj = 25°C, vD = 6 V Tvj = 25°C, vD = 6 V Tvj = Tvj max , vD = 6 V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
IGT VGT IGD VGD IH
0,02009 0,002673 0,2013 0,02847 -0,457 0,003951 0,4384 -0,03762 350 mA max. max. max. max. max. max. max. max. max. 2,5 V 20 mA 10 mA 0,4 V 350 mA 3A 100 mA 2,5 µs
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω IL iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs date of publication: revision: 15.05.03 3 i D, i R tgd
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 201N
= 100 V, v = 0,67 V ThermischevvEigenschaften d /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 letter O Mechanische =Eigenschaften T T
RM DM DRM D T th vj vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
typ. Qr max. IRM max.
600
µs
Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
3,5
mAs
130
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
RthJC
max. max. max. max.
0,043 0,04 0,072 0,0900
°C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH
Tvj max Tc op Tstg
max. 0,006 °C/W max. 0,012 °C/W 125 °C -40...+125 °C -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz DIN 46244 Gate Kathode /Cathode G F
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7...12 A 4,8x0,8 A 6,3x0,8 typ.
kN
250 g 25 mm 50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Maßbild
45 1 2
1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Cathode (control terminal)
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 201N
R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n Rthn [°C/W] 1 0,0146 1,4 0,0466 4,5 0,06460 6,2 2 0,0126 0,2 0,0126 0,2 0,0126 0,2 3 0,0072 0,063 0,0072 0,063 0,0072 0,063 4 0,005 0,01 0,005 0,01 0,005 0,01 5 0,0006 0,002 0,0006 0,002 0,0006 0,002
nmax n=1
6
7
τn [s]
Rthn [°C/W]
anodenseitg anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig cathode-sided
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
Σ
Rthn 1 − e
τn
-t
0 ,1 0 ,0 9 0 ,0 8 0 ,0 7 0 ,0 6 0 ,0 5 0 ,0 4 d 0 ,0 3 0 ,0 2 0 ,0 1 0 0 ,0 0 1 0 ,0 1 0 ,1 t [s ] 1 10 100
c
a
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Z
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th JC
[K/W]
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
550
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Diagramme Diagramme
500
Durchlasskennlinie
450
400
typ .
m a x.
350
300 i T [V] 250 200 150 100 50
0 0 0,5 1 1,5 2 v T [V ] 2,5 3 3,5 4
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
30 20
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Durchlassverluste
10
c 5 a -40°C 2 +25°C b
v G [ V]
+125°C 1
0,5
0,2
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
iG [ mA]
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
7
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Tc beidseitig
6
5
4
Qr [mAs] 3 2 1 0 0 5 10 15 - d i/d t [ A /µ s ] 20 25 30 35
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
350
Datenblatt / Data sheet
T 201N
Ta bei Sinus
300
250
200
IRM [A] 150 100 50 0 0 5 10 15 - d i/d t [ A /µ s ] 20 25 30 35
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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