T4003NH52TOHMOLIXPSA1 数据手册
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
Key Parameters
enndaten
VBO / VRRM
5200V / 5200V
ITAVM
3400A (TC=85°C)
ITSM
vT0
105000A
3570A (TC=55°C)
0,93V
rT
0,145mΩ
RthJC
4,5K/kW
Clamping Force
90 … 130kN
Max. Diameter
172,5mm
Contact Diameter
115mm
Height
40mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Direkt lichtgezündeter Thyristor mit integrierter
Schutzfunktion
Light triggered thyristor with internal Break over Diode
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Extrem hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
High DC blocking stability
High surge current capability
Extreme high di/dt capabillity
Typische Anwendungen
Typical Applications
Kurzschließer-Applikationen
Pulsed Power Applikationen
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
QR class
Date of Publication: 2011-05-02
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
Crowbar Applications
Pulsed Power Applications
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
Revision: 10.0
4.1
1
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page: 1/10
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak and reverse voltage
Elektrische Eigenschaften
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
5200 V
Durchlaßstrom-Effektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 °C
ITRMSM
5340 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 70 °C
TC = 55 °C
ITAVM
3400 A
4250 A
4990 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs
(diT/dt)cr
5000 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
(dvD/dt)cr
2000 V/µs
Schutzzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Tvj = 25°C … Tvj max
VBO
min.
5200 V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 6000A, vD = 200V
vT
typ.
max.
1,72 V
1,80 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,88 V
0,93 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Tvj = Tvj max
typ.
typ.
0,14 mΩ
max. 0,145 mΩ
0,69821
0,00000648
-0,04399
0,01762
0,700
0,00002185
-0,030645
0,016068
105000 A
100000 A
55000 10³ A²s
50000 10³ A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K
für Tvj = 0°C..25°C
Typical de-rating factor of 0,16%/K is
applicable for Tvj = 0°C..25°C
600A iF 7000A
v T A B i T C Ln ( i T 1) D
max.
iT
A
B
C
D
A
B
C
D
minimale Zündlichtleistung
minimum gate trigger light power
Tvj = 25°C, vD = 200V
PLM
max.
40 mW
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C
IH
max.
100 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 150V,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
IL
max.
1 A
Rückwärts-Sperrstrom
reverse blocking current
Tvj = Tvj max
vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, vD = 1000V ,
PLM = 40mW, trise = 0,5µs
iR
max.
900 mA
tgd
max.
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: TM
date of publication:
approved by: JP
revision:
Date of Publication: 2011-05-02
5 µs
2010-05-02
10.0
Revision: 10.0
Seite/page: 2/10
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
= 100 V, v = 0,67 V
Thermischev Eigenschaften
dv /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
/ 4 letter O
RM
D
DM
tq
typ.
500
µs
DRM
T
th
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
max.
28
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
max.
600
A
max.
max.
max.
max.
4,8
4,5
8,2
10,0
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
max.
max.
1,0 K/kW
2,0 K/kW
120 °C
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+120 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Date of Publication: 2011-05-02
90...130
typ.
kN
4000 g
49 mm
f = 50 Hz
Revision: 10.0
50 m/s²
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
Maßbild
1: Anode/anode
4.1
1
2
2: Kathode/cathode
4.1: Gate
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 10.0
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC /
analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Durchlasskennlinie
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
Rthn
[K/kW]
2,06
1,6
0,76
0,080
τn [s]
1,6
0,27
0,026
0,0054
Rthn
[K/kW]
4,67
1,84
1,31
0,38
τn [s]
11,128
1,0396
0,09265
0,01079
Rthn
[K/kW]
6,66
1,64
1,24
0,46
τn [s]
8,2498
1,2122
0,1124
0,0119
Z thJC
Analytische Funktion / analytical function:
5
nmax
6
R thn 1 e
7
-t
n
n=1
12
10
ci
8
6
4
bi
Zth JC [K/W]
Zth JC [K/kW]
ai
2
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t[s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 10.0
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
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thJC
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
8000
Durchlassverluste
7000
6000
typ.
max.
iT [A]
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
Date of Publication: 2011-05-02
9000
Revision: 10.0
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
60
Steuerkennlinie
50
Qr [mAs]
40
30
Zündverzug
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Date of Publication: 2011-05-02
1
Revision: 10.0
Seite/page: 7/10
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
1600
1400
1200
IRM [A]
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
Date of Publication: 2011-05-02
25
Revision: 10.0
Seite/page: 8/10
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
120
I T(OV)M [kA]
100
80
60
0-50V
0,33 VRRM
40
0,67 VRRM
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 10.0
Seite/page: 9/10
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4003NH
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Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 10.0
Seite/page: 10/10