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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T828N
VDRM,VRRM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max enndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage TC = 85 °C TC = 74 °C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 0,8 A diG/dt = 0,8 A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter F Tvj = -40°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
VRSM
ITRMSM ITAVM ITSM I²t (diT/dt)cr
200 400 600 200 400 600 250 450 650 1500
V V V V V V V V V A
828 A 955 A 13500 A 12000 A 910 10³ A²s 720 10³ A²s 300 A/µs
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie 100 A ≤ iT ≤ 4000 A on-state characteristic
Tvj = Tvj max , iT = 2500 A Tvj = Tvj max , iT = 800 A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vT V(TO) rT A= B= C= D= IGT VGT IGD VGD IH IL
max. max.
1,65 V 1,24 V 1,00 V 0,23 mΩ
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
iT
Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = 25 °C, vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM Tvj = 25°C, vD = 12V Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω iGM = 0,8 A , diG/dt = 0,8 A/µs tg = 20 µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM
1,101E+00 -1,129E-05 -7,982E-02 2,404E-02 max. max. max. max. max. max. max. 200 mA 2V 10 mA 5 mA 0,25 V 200 mA 1000 mA
i D, i R
max.
50 mA
prepared by: H.Sandmann approved by: J.Przybilla
date of publication: revision:
2006-09-06 1
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Datenblatt / Data sheet
T828N
60747-6 ThermischeDIN IEC°C, i = 0,8 A Eigenschaften t T = 25 di MechanischeT/dt==T0,8 A/µs = I Eigenschaften tq ,i
gd vj GM G vj vj max TM TAVM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Zündverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time max. 1,4 µs
typ.
150
µs
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs -diT/dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sides einseitig / single-sides
RthJC
max. max. max. max. max. max. max. max.
0,045 0,041 0,074 0,070 0,104 0,100
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH
0,010 °C/W 0,020 °C/W 140 °C
Tvj max Tc op Tstg
-40...+140 °C -40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz DIN 46244 Gate Kathode / cathode G F
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5,5...8 A 2,8 x 0,8 A 2,8 x 0,8 typ.
kN
100 g 17 mm 50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
T828N
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
45 1 2
1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
T828N
R,t – Werte Diagramme KDiagramme ühlung / Cooling beidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00043 0,00557 0,01900 0,01600 0,00027 0,00034 0,00024 0,00026 0,00019 0,00221 0,00541 0,00210 0,00524 0,00192 0,08500 0,00486 0,03760 0,01320 0,05620 0,36000 0,02340 0,15800 0,03460 0,65000
1
2
3
4
5 -
6 -t
7 -
τn [s]
Rthn [°C/W]
anodenseitig anode-sided
0,03599 2,47000 0,04670 2,91000
nmax n=1
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig catode-sided
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
ΣR
thn
1− e
τn
0,120 0,100 0,080 a 0,060 0,040 0,020 0,000 0,001 b c
Z thJC [°C/W]
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Durchlasskennlinie
Θ = 180° ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00722 0,00373 Θ = 120° 0,01299 0,00627
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Kühlung / Cooling Θ = 90° 0,01773 0,01001 Θ = 60° 0,02491 0,01648 Θ = 30° 0,03709 0,02888
beidseitig two-sided
0,00711
0,01279
0,01749
0,02464
0,03669
anodenseitig anode-sided
0,00366 0,00696 0,00338
0,00614 0,01255 0,00578
0,00986 0,01728 0,00947
0,01636 0,02459 0,01610
0,02882 0,03702 0,02910
kathodenseitig cathode-sided
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
5.000
4.000
Tvj = Tvj max
3.000 iT [A] 2.000 1.000 0 1 1,2 1,4 VT [V] 1,6 1,8 2
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
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1600
Datenblatt / Data sheet
T828N
Durchlassverluste
1200
90°
0°
180° 120°
0
180°
60° θ = 30°
PTAV [W]
800
400
0 0 200 400 600 ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
800
1000
1200
140 120
0°
0
180°
100
T C [°C]
80 60 40
θ = 30° 60° 90° 120° 180°
20 0 200 400 600 I TAV [A] 800 1000 1200
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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2500
Datenblatt / Data sheet
T828N
Tc
0°
2000
DC 180°
0
180°
PTAV [W]
1500
60° θ = 30°
120° 90°
1000
500
0 0 200 400 600 800
ITAV [A]
1000
1200
1400
1600
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140 120
0°
0
180°
100
T C [°C]
80 60 40
θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC
20 0 200 400 600 800 I TAV [A] 1000 1200 1400 1600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV) Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
100
Datenblatt / Data sheet
T828N
Steuerkennlinie
10
b
c a Tvj = -40 °C
vG [V]
0,1 10 100 iG [mA] 1000 10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c Zündverzug - 60W / 0,5ms
10000
Qr [µAs]
Tvj = +140°C
1
Tvj = +25°C
1000
iTM = 2000A 1000A 500A 200A 100A 50A 20A
100 1 10 -di/dt [A/µs] 100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt) Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM ++
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14
Datenblatt / Data sheet
T828N
12
10
IT(OV)M [kA]
8
6
0-50V 0,33 VRRM
4
0,67 VRRM
2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusodial half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
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