Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT190N16SOF
Key Parameters
VDRM / VRRM
1600 V
ITAVM
190 A (TC=85 °C)
ITSM
VT0
5200
3570AA(TC=55°C)
0,85 V
rT
0,9 mΩ
RthJC
0,145 K/W
Base plate
34 mm
Weight
165 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Löt-Bond Technologie
Solder-Bond Technology
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Leistungssteller
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Statische Umschalter
content of customer DMX code
type designation
serial number
internal production order number
material number
date code (YY/WW)
add on for date code
Date of Publication 2017-06-14
DMX code
digit
1..18
19..23
24..31
32..41
42..45
46
Soft starter
Rectifier for drives applications
Power controllers
Rectifiers for UPS
Battery chargers
Static switches
DMX code
digit quantity
18
5
8
10
4
1
Revision: 3.2
TT
TD
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT190N16SOF
TT190N16SOF
TD190N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1700 V
ITRMSM
275 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
190 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
5200 A
4500 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
100 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 500 A
vT
max.
1,52 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,9 mΩ
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
max.
145 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12V
VGT
max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
IH
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
IL
max.
400 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
30 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
2 µs
prepared by: AG
approved by: MS
Date of Publication 2017-06-14
135200 A²s
101250 A²s
Date of publication: 2017-06-14
Revision:
Revision: 3.2
3.2
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT190N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
Thermische Eigenschaften
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
typ.
3,0 kV
3,6 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
max.
max.
max.
max.
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
RthCH
0,0825
0,165
0,0725
0,145
K/W
K/W
K/W
K/W
0,04 K/W
0,08 K/W
125 °C
Tvj max
Mechanische Eigenschaften
320 µs
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
5
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
typ.
165 g
10 mm
f = 50 Hz
file-No.
Date of Publication 2017-06-14
A 2,8 x 0,8
G
Kriechstrecke
creepage distance
Al2O3
Revision: 3.2
50 m/s²
E 83335
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
5 4
7 6
TT
Date of Publication 2017-06-14
TT190N16SOF
1
2
3
5 4
TD
Revision: 3.2
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT190N16SOF
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/W]
0,0669
0,0024648
0,0674976
0,0076896
τn [s]
0,035107
0,035092
0,034917
0,001473
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
6
7
n max
–t
R thn 1 - e
n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec
[K/W]
0,02709
0,04187
0,05259
0,06819
0,09344
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,02071
0,02767
0,03665
0,05160
0,08004
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Revision: 3.2
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Diagramme
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a – 20W/10ms
Date of Publication 2017-06-14
b - 60W/500µs
Revision: 3.2
c - 120W/30µs
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Technische Information /
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT190N16SOF
Gehäusetemperatur bei Rechteck
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
P tot [W]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2000
B6
R thCA [K/W]
0,10
ID
+
0,12
3~
0,15
-
0,20
1500
0,25
0,30
1000
0,40
0,50
0,60
500
,
0,80
1,00
1,50
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
100
200
T A [°C]
300
400
500
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Netz-Thyristor-Modul
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Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2017-06-14
Revision: 3.2
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
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Phase Control Thyristor Module
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-
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to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization of any such
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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