Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT W3C 85 N 16 (ISOPACK)
N
W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS on-state current (per chip) Effektivstrom (pro Phase) RMS current (per arm)
TC = 85°C TC = 72°C TA = 45°C, KM 11 TA = 45°C, KM 33 TA = 35°C, KM 14 (V L = 45l/s) TA = 35°C, KM 33 (V L = 90l/s) Tvj = - 40°C...Tvj max
VDRM, VRRM VDSM VRSM ITRMSM IRMS
1600
V
1600
V
Tvj = + 25°C...Tvj max
1700
V
75
A
85 106 35 49 83 96 720 620 2600 1920 120
A A A A A A A A A²s A²s A/µs
Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = 25°C, t p = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms Tvj = 25°C, t p = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs Tvj = Tvj max, vD = 0,67 V DRM 8. Kennbuchstabe / 8th letter F
ITSM I²t (di/dt)cr (dv/dt)cr
1000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zündverzug gate controlled delay time
Tvj = Tvj max, iT = 100A
vT V(T0) rT IGT VGT IGD VGD IH IL iD, iR tgd
max.
1,64
V
Tvj = Tvj max
0,95
V mΩ mA
Tvj =Tvj max
5,5
Tvj = 25°C, vD = 6V
max.
150
Tvj = 25°C, vD = 6V
max.
2,5
V
Tvj = Tvj max, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM Tvj = Tvj max, vD = 0,5 V DRM
max. max. max.
5,0 2,5 0,2
mA mA V
Tvj = 25°C, vD = 6V, R A = 5Ω
max.
200
mA
Tvj = 25°C, vD = 6V, R GK ≥ 20 Ω iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs, t g = 10µs Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, di G/dt = 0,6A/µs
max.
600
mA
max.
8
mA
max.
1,2
µs
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Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
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W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = 50A vRM = 100V, V DM = 0,67 V DRM dVD/dt = 20V/µs, -di T/dt = 10A/µs 7. Kennbuchstabe / 7th letter O
tq
typ. VISOL
190 3,0 3,6
µs kV kV
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, Θ = 180°sin pro Element / per chip, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC pro Element / per chip, DC
RthJC
max. max. max. max.
0,117 0,700 0,108 0,650
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
pro Modul / per module pro Element / per chip
RthCK Tvj max Tc op Tstg
max. 0,033 max. 0,200 125
- 40...+125
°C
- 40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert Si-pellets with soldered contact, glass-passivated Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz Toleranz / tolerance ±15%
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Al2O3 M1 6 Nm
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
6
Nm
G
typ.
300
g
12,5
mm
50
m/s²
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand rated resistance Verlustleistung power dissipation Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
TC = 25°C R100 = 493 Ω ± 5% TC = 25°C
R25 P25 max.
5
kΩ mW
20
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ϑ
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn [° C / W ] 0,25300 0,35100 0,04930
τ n [s]
0,31800 0,03870 0,00109
nmax
Analytische Funktion:
Z thJC =
∑
t − R thn 1 − e τn n= 1
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0,80
0,70
180° sin DC
0,60
0,50
ZthJC [°C/W]
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
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140
130
120
110
100
90 TC [°C]
80
70
60
50
40
30
20 0 10 20 30 40 50 60 IRMS [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(IRMS)
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70
80
90
100
110
120
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N
W3
100
90
80
70
60
(Tvj - TSensor) [°C]
50
40
30
20
10
0 0,0 0,5 1,0 Ia / IRMS(Tc=85°C) 1,5 2,0
Differenz zwischen Sperrschicht- und Sensortemperatur / Difference between the values of junction and sensor temperature (Tvj - TSensor) = f(Ia / IRMS(Tc=85°C)) Ia: Anlaufstrom / Starting current IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
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10000
RSensor [Ω ]
1000
100 20 30 40 50 60 70 TSensor [°C] 80 90 100 110 120
Sensorwiderstand / Sensor resistance RSensor = f(TSensor)
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500
450
400
350
300
Ptot [W]
250
200
150
100
50
0 0 20 40 60 IRMS [A] 80 100 120
Gesamtverlustleistung pro Modul / Total power dissipation per module Ptot = f(IRMS) IRMS: Effektivstrom (pro Phase) / RMS current (per arm)
BIP PPE 4 rev. 2 25. Okt 05 Seite/page 9(9)
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