TZ800N16KOFHPSA3

Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N Key Parameters VDRM / VRRM 1200V - 1800V ITAVM 819A (TC=85°C) ITSM 35000A VT0 0,82V rT 0,17mΩ RthJC 0,0405K/W Base plate 70mm Weight 1950g For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features  Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit  Pressure contact technology for high reliability  Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Industrie-Standard-Gehäuse  Elektrisch isolierte Bodenplatte  Optional: Thermisches Interface Material (TIM) bereits aufgetragen    Industrial standard package Electrically insulated base plate Option: Pre-applied thermal interface material (TIM) Typische Anwendungen Typical Applications               Sanftanlasser Gleichrichter für Antriebsapplikationen Kurzschließer-Applikationen Leistungssteller Gleichrichter für UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter content of customer DMX code serial number SP material number datecode (production day) datecode (production year) datecode (production month) vT class QR class Date of Publication 2018-03-26 DMX code digit 1..7 8..16 17..18 19..20 21..22 23..26 27..30 Soft starter Rectifier for drives applications Crowbar applications Power controllers Rectifiers for UBS Battery chargers Static switches DMX code digit quantity 7 9 2 2 2 4 4 Revision: 3.6 www.ifbip.com support@infineon-bip.com Seite/page 1/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N TZ800N TZ800N_TIM Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM 1200 1600 1400 V 1800 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200 1600 1400 V 1800 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1700 1500 V 1900 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current ITRMSM 1500 A 819 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C ITAVM Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms ITSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms I²t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 3000 A vT max. 1,51 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,82 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT max. 0,17 mΩ Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 500 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs IL max. 2500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 150 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd max. prepared by: AG approved by: MS Date of Publication 2018-03-26 35000 A 30000 A 6125000 A²s 4500000 A²s 200 A/µs 1000 V/µs 4 µs date of publication: 2018-03-26 revision: Revision: 3.6 3.6 Seite/page 2/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time TZ800N Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O tq Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec VISOL Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC max. 0,042 K/W pro Modul / per Module, DC max. 0,0405 K/W max. 0,015 K/W max. 0,012 K/W Thermische Eigenschaften Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM thermal resistance, case to heatsink, with TIM pro Modul / per Module typ. RthCH 240 µs 3,0 kV 3,6 kV 125 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+130 °C Mechanische Eigenschaften +5…+50 °C Lagertemperatur mit TIM storage temperature with TIM Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / Tolerance ± 10% M2 18 Nm Steueranschlüsse control terminals DIN 46 244 Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance typ. 1950 g 36 mm f = 50 Hz file-No. Date of Publication 2018-03-26 A 2,8 x 0,8 G Kriechstrecke creepage distance AlN Revision: 3.6 50 m/s² E 83335 Seite/page 3/11 Technische Information / technical information d Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N 2 1 4 5 TZ Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 4/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [K/W] 0,00507 0,02313 0,00866 0,00267 0,0011 τn [s] 9,98 4,994 0,30347 0,0188 0,01 Z thJC  Analytische Funktion / Analytical function: 6 7 nmax  –t R thn 1 - e n n=1 Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ΔZth Θ rec [K/W] 0,00137 0,00196 0,00229 0,00265 0,00304 ΔZth Θ sin [K/W] 0,00142 0,00175 0,00209 0,00248 0,00299 Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 5/11 Technische Information / technical information Diagramme Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N 0,05 Z(th)JC [K/W] 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 0,1 1 t [s] 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ vG [V] 100 10 c b Tvj = -40
C 1 Tvj = +25
C Tvj max = +125
C a 0,1 10 100 1000 iG [mA] 10000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W/10ms Date of Publication 2018-03-26 b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms Revision: 3.6 Seite/page 6/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N 1800 DC PTAV [W] 1600 1400 180
sin 1200 180
rec 120
rec 90
rec 1000 60
rec Q = 30
rec 800 600 400 Gehäusetemperatur bei Rechteck 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 140 120 TC [°C] 100 80 60 180
sin 40 30
rec rec QQ= =30
60
rec 90
rec 120
rec 180
rec DC 20 0 200 400 600 800 1000 ITAVM [A] 1200 1400 1600 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 7/11 Technische Information / technical information P tot [W] Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N 5000 ID + 0,06 4000 B2 RthCA [K/W] 0,05 R-Last R-load ~ L-Last L-load 0,08 - 3000 0,10 0,12 0,15 2000 0,20 0,25 0,30 0,40 1000 0,60 1,00 2,00 0 10 30 50 70 90 0 110 500 1000 1500 2000 I D [A] T A [°C] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 7000 R thCA [K/W] P tot [W] 0,05 B6 ID + 6000 0,06 5000 0,08 3~ - 0,10 4000 0,12 0,15 3000 0,20 2000 1000 0 , 0,25 0,30 0,40 0,60 1,00 2,00 10 30 50 70 90 110 0 500 1000 T A [°C] 1500 2000 2500 ID [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 8/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N P tot [W] 2500 W 1C ~ R thCA K/W] 0,05 IRMS 0,06 2000 0,08 1500 ~ 0,10 0,12 0,15 1000 0,20 0,25 0,30 500 0,40 0,60 1,00 2,00 0 10 30 50 70 90 0 110 500 1000 1500 2000 2500 I RMS [A] TA [°C] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA P tot [W] 8000 0,04 R thCA [K/W] ~ W 3C ~ ~ IRMS 7000 6000 0,06 ~ ~ ~ 0,08 5000 0,10 4000 3000 0,12 0,15 0,20 2000 0,25 0,30 0,40 1000 0,60 1,00 2,00 0 10 30 50 70 90 110 0 T A [°C] 500 1000 I RMS [A] 1500 2000 Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 9/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N Qr [µAs] 100000 iTM = 2000A 1000A 500A 200A 100A 10000 1000 100 1 10 100 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM 25.000 IT(OV)M [A] 20.000 a 15.000 10.000 b 5.000 0 0,01 0,1 1 t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 10/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ800N Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication 2018-03-26 Revision: 3.6 Seite/page 11/11