Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
Key Parameters
VDRM / VRRM
1600 V
ITAVM
860 A (TC=85°C)
ITSM
vT0
46000
3570A A
(TC=55°C)
0,8 V
rT
0,145 mΩ
RthJC
0,0405 K/W
Baseplate
70 mm
Weight
1950 g
For type designation please refer to actual
shortform catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Pressure contact technology for high reliability
Industial standard package
Electrically insulated baseplate
Advanced medium power technology
Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
Druckkontakt- Technologie für hohe
Verlässlichkeit
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Grundplatte
Advanced medium power technology
Optional: Thermisches Interface Material (TIM)
bereits aufgetragen
Typische Anwendungen
Typical Applications
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichricher für UPS
Batterieladegleichrichter
Sanftanlasser
Kurzschluss-Applikationen
Leistungssteller
Statische Umschalter
Rectifier for Drives Applications
Rectifiers for UPS
Battery chargers
Soft starter
Crowbar applications
Power controllers
Static switches
content of customer DMX code DMX code DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class
23..26
4
QR class
27..30
4
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page
1/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
TZ860N16KOF
TZ860N16KOF_TIM
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1700 V
ITRMSM
1800 A
860 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
(dvD/dt)cr
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 3000 A
vT
max.
1,38 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,8 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,145 mΩ
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12V
VGT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
IH
max.
500 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
IL
max.
2500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
150 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
prepared by: AG
approved by: ML
Date of Publication 2022-04-28
46.000 A
40.000 A
10.580.000 A²s
8.000.000 A²s
200 A/µs
1000 V/µs
4 µs
date of publication: 2022-04-28
revision:
Revision: 3.3
3.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
max.
0,0420 K/W
pro Modul / per Module, DC
max.
0,0405 K/W
max.
0,015 K/W
max.
0,012 K/W
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM
thermal resistance, case to heatsink, with TIM
pro Modul / per Module
Mechanische Eigenschaften
typ.
RthCH
240 µs
3,0 kV
3,6 kV
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+130 °C
+5…+50 °C
Lagertemperatur mit TIM
storage temperature with TIM
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
18
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
typ.
1950 g
36 mm
f = 50 Hz
file-No.
Date of Publication 2022-04-28
A 2,8 x 0,8
G
Kriechstrecke
creepage distance
AlN
Revision: 3.3
50 m/s²
E 83335
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Technische Information /
technical information
d
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
8+0,8
- 0,2
7
79,5+0,5
- 1,5
90±1
4
TZ860N16KOF
70±1
176±1,5
146±1,5
30
58±0,2
6,5±0,2
80
92±0,2
104±1
2
1
4 5
TZ
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
Seite/page
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/W]
0,00507
0,02313
0,00866
0,00267
0,0011
τn [s]
9,98
4,994
0,30347
0,0188
0,01
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
6
7
n max
–t
R thn 1 - e
n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec
[K/W]
0,00137
0,00196
0,00229
0,00265
0,00304
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,00142
0,00175
0,00209
0,00248
0,00299
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
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Technische Information /
technical information
Diagramme
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
0,05
Z(th)JC [K/W]
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)
Durchgangsverluste
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
vG [V]
100
10
c
b
Tvj = -40 C
1
Tvj = +25 C
Tvj max = +125 C
a
0,1
10
100
1000
iG [mA]
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W/10ms
Date of Publication 2022-04-28
b - 40W/1ms
c - 60W/0,5ms
Revision: 3.3
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Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
PTAV [W]
1600
DC
1400
180 rec
1200
180 sin
120 rec
90 rec
1000
60 rec
800
Q = 30 rec
600
400
Gehäusetemperatur bei Rechteck
200
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
ITAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140
120
TC [°C]
100
80
60
180 sin
40
rec
QQ= =3030 rec
60 rec
90 rec 120 rec
DC
180 rec
20
0
200
400
600
800
1000
ITAVM [A]
1200
1400
1600
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
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Technische Information /
technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
3500
0,08
3000
B2
RthCA [K/W]
ID
0,06
+
0,10
~
0,12
2500
R-Last
R-load
-
0,15
L-Last
L-load
2000
0,20
1500
0,25
0,30
1000
0,40
0,60
500
1,00
2,00
0
10
30
50
70
90
0
110
500
1000
1500
2000
2500
I D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
P tot [W]
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
6000
R thCA [K/W]
0,06
B6
ID
+
3~
5000
0,08
-
0,10
4000
0,12
0,15
3000
0,20
2000
,
0,25
0,30
0,40
1000
0
0,60
1,00
2,00
2,00
10
30
50
70
90
110
0
500
1000
T A [°C]
1500
2000
2500
3000
Seite/page
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ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
Technische Information /
technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
W 1C
~
R thCA K/W]
0,06
2000
TZ860N16KOF
IRMS
0,08
1500
~
0,10
0,12
0,15
1000
0,20
0,25
0,30
500
0,40
0,60
1,00
2,00
2,00
0
10
30
50
70
90
0
110
500
1000
1500
2000
2500
I RMS [A]
TA [°C]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]
7000
0,05
R thCA [K/W]
~
W 3C
~
~
IRMS
0,06
6000
0,08
~
~
~
5000
0,10
4000
0,12
0,15
3000
0,20
2000
0,25
0,30
0,40
1000
0,60
1,00
2,00
0
10
30
50
70
90
110
0
T A [°C]
500
1000
I RMS [A]
1500
2000
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
Seite/page
9/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
10000
Qr [µAs]
iTM =
2000A
1000A
500A
200A
100A
1000
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
30.000
IT(OV)M [A]
25.000
20.000
a
15.000
10.000
b
5.000
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling
Date of Publication 2022-04-28
Revision: 3.3
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Technische Information /
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TZ860N16KOF
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-
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