3G42D-80N-27.000

物料型号：EURO QUARTZ VCXO G42 CMOS

器件简介： - G42 VCXOs，封装在小型的11.4mm x 9.6mm x 2.5mm 4 pad SMD封装中。 - G系列VCXO的典型相位抖动小于1ps，输出为CMOS/TTL。 - G系列VCXO使用基本模式晶体振荡器。 - 应用包括相位锁定环、SONET/ATM、机顶盒、MPEG、音视频调制、视频游戏控制台和HDTV。

引脚分配： - 1：电压控制（圆角垫） - 2：地 - 3：输出 - 4：供电电压

参数特性： - 频率范围：Vdd = +3.3VDC时为0.625MHz到50.0MHz，Vdd = +5.0VDC时为1.0MHz到50.0MHz。 - 供电电压：+3.3 VDC ±5% 或 +5.0VDC ±5%。 - 输出逻辑：TTL/HCMOS。 - 集成相位抖动：最大1.0ps，12kHz到20MHz。 - 周期抖动RMS：典型2.0ps。 - 周期抖动峰峰：最大14ps。 - 相位噪声：见下表。 - 初始频率精度：+3.3VDC时Vc= 1.65V±0.2V，+5.0 VDC时Vc= 2.5V±0.2V。 - 输出电压高（1）：至少90% Vdd。 - 输出电压低（0）：最多10% Vdd。 - 控制电压中心：+3.3VDC时为1.65V，+5.0VDC时为2.5V。 - 控制电压范围：+3.3VDC时为0.3V到3.0V，+5.0VDC时为0.5V到4.5V。 - 拉差范围：+3.3VDC时为±80ppm到±120ppm（标准），+5.0VDC时为±80ppm到±150ppm（可提供±200ppm）。 - 温度稳定性：见表。 - 输出负载：CMOS = 15pF，TTL = 2门。 - 启动时间：最大10ms，典型5ms。 - 占空比：50% ±5%，在50% Vdd时测量。 - 上升/下降时间：典型0.7ns（15pF负载）。 - 电流消耗：10到45mA，频率依赖。 - 线性度：最大10%，典型6%。 - 调制带宽：至少10kHz。 - 输入阻抗：至少1M。 - 斜率极性：单调且正（控制电压的增加总是增加输出频率）。 - 存储温度：-50°C至+100°C。 - 老化：每年最大±5ppm。 - RoHS状态：完全合规。

功能详解： - G系列VCXO提供基本模式晶体振荡器，具有低相位抖动和宽频率范围，适用于需要精确频率控制的应用。

应用信息： - 相位锁定环、SONET/ATM、机顶盒、MPEG、音视频调制、视频游戏控制台和HDTV。

封装信息： - 11.4 x 9.6 x 2.5mm 4 pad SMD封装。