物料型号：
- 产品系列代码：EMW42GT（TCXO）、VEMW42GT（VCTCXO）。
器件简介：
- EMW42GT系列TCXO封装在一个4引脚SMD包中，带有微调器。输出为方波（HCMOS），可提供不同的容差。
- 频率范围：200.01MHz至800.0MHz。
- 供电电压：3.3伏特。
- 频率稳定性：在-30至+75°C范围内±1ppm。
- 符合RoHS标准。
引脚分配：
- 1号引脚：未连接或VCTCXO的电压控制。
- 2号引脚：地。
- 3号引脚：输出。
- 4号引脚：供电电压。
- 1号指示引脚：用于VCTCXO。
参数特性：
- 控制电压：标准为+1.5±1.0伏特（所有输入电压）。如果需要+2.5±2.0伏特，请联系技术销售。
- 频率偏差斜率极性：±6.0ppm（Vcon = +4.5V±1.0V）正（控制电压增加会增加输出频率）。
- 输入阻抗：至少2M。
- 调制带宽：至少25kHz。
- 线性度：最大±10%。
功能详解和应用信息：
- 该器件具有0.01mF的去耦电容内置。
- 初始校准容差：标准频率<±2.0ppm@+25°±2°C。
- 机械频率调整：至少±3ppm。
- 操作温度范围：见表格。
- 频率稳定性与老化、电压变化、负载变化、回流（SMD型）：见表格。
- 供电电压、输出逻辑电平：+3.3伏特，逻辑高至少90% Vdd，逻辑低最多10% Vdd。
- 电流消耗：最大65mA（依赖于频率）。
- 上升和下降时间：1.2ns典型值。
- 占空比：50%±5%。
- 启动时间：典型值5ms，最大值10ms。
- 输出负载：15pF。
- 存储温度：-55~+125°C。
封装信息：
- 封装为11.4 x 9.6 x 2.5mm的SMD封装。
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