物料型号:
- 型号为2N5306。
器件简介:
- 2N5306是一个NPN达林顿晶体管,设计用于需要极高电流增益的应用,可处理高达1.0A的电流。该器件源自05工艺,并参考MPSA14的特性。
引脚分配:
- 1. 发射极(Emitter)
- 2. 集电极(Collector)
- 3. 基极(Base)
参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 集电极-发射极电压(VCEO):25V
- 集电极-基极电压(VCBO):25V
- 发射极-基极电压(VEBO):12V
- 集电极电流(IC):连续1.2A
- 工作和存储结温范围(TJ, TSTG):-55°C至+150°C
功能详解:
- 关断特性:
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):IC=10mA, IB=0时为25V
- 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):IC=0.1µA, IE=0时为25V
- 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):IE=0.1µA, IC=0时为12V
- 集电极截止电流(ICBO):VCB=25V, IE=0时为0.1µA,100°C时为20µA
- 发射极截止电流(IEBO):VEB=12V, IC=0时为0.1µA
- 开启特性:
- DC电流增益(hFE):VCE=5.0V, IC=2.0mA时为20,000至70,000;VCE=5.0V, IC=100mA时为7,000
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):IC=200mA, IB=0.2mA时为1.4V
- 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):IC=200mA, IB=0.2mA时为1.6V
- 基极-发射极开启电压(VBE(on)):IC=200mA, VCE=5.0V时为1.5V
- 小信号特性:
- 集电极-基极电容(Ccb):VCB=10V, f=1.0MHz时为10pF
- 小信号电流增益(hfe):IC=2.0mA, VCE=5.0V, f=1.0KHz时为7000;f=10MHz时为6.0
应用信息:
- 2N5306适用于需要极高电流增益的应用,可处理高达1.0A的电流。
封装信息:
- 封装类型为TO-92,具体尺寸如下(单位:毫米):
- 4.58 ±0.25(最大值)
- 4.58 ±0.20(标称值)
- 0.46 ±0.10
- 14.47 ±0.40
- 1.27TYP [1.27 ±0.20](标称值)
- 3.60 ±0.20
- 0.38 +0.10 –0.05(最小值)
- 3.86MAX
- 1.02 ±0.10