### 物料型号
- 74LVT16373GX:54-Bal Fine-Pitch Bal Grid Array (FBGA), JEDEC MO-205, 5.5mm Wide [TAPE and REEL]
- 74LVT16373MEA:48-Lead Small Shrink Outline Package (SSOP), JEDEC MO-118, 0.300" Wide
- 74LVT16373MTD:48-Lead Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP), JEDEC MO-153, 6.1mm Wide
- 74LVTH16373GX:54-Ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA), JEDEC MO-205, 5.5mm Wide [TAPE and REEL]
- 74LVTH16373MEA:48-Lead Small Shrink Outline Package (SSOP), JEDEC MO-118, 0.300" Wide
- 74LVTH16373MTD:48-Lead Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP), JEDEC MO-153, 6.1mm Wide
### 器件简介
LVT16373和LVTH16373包含16个非反相锁存器,具有3态输出,适用于总线导向应用。这些器件是字节控制的。当锁存使能(LE)为高电平时,数据在锁存器中呈现透明状态。当LE为低电平时,满足建立时间的数据被锁存。当输出使能(OE)为低电平时,数据出现在总线上。当OE为高电平时,输出处于高阻态。
### 引脚分配
- OEn:输出使能输入(低电平有效)
- LEn:锁存使能输入
- I0-I15:输入
- O0-O15:3态输出
- NC:无连接
### 参数特性
- 供电电压(Vcc):-0.5到+4.6V
- 输入电压(V):-0.5到+7.0V
- 输出电压(Vo):-0.5到+7.0V(3态时)和-0.5到+7.0V(高或低状态时)
- 输入二极管电流(Ik):-50mA(V1Vcc时高状态)和128mA(Vo>Vcc时低状态)
### 功能详解
LVT16373和LVTH16373包含16个D型锁存器,具有3态标准输出。每个字节功能相同,但独立于其他字节。控制引脚可以短接在一起以获得完整的16位操作。当锁存使能(LE)输入为高电平时,Dn上的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的,即每次D输入改变状态时,锁存器输出都会改变状态。当LE为低电平时,锁存器存储在LE的高到低转换前已经出现在D输入上的信息。3态标准输出由输出使能(OE)控制。当OE为低电平时,标准输出处于2态模式。当OE为高电平时,标准输出处于高阻抗模式,但这并不妨碍将新数据输入到锁存器中。
### 应用信息
这些锁存器设计用于低电压(3.3V)Vcc应用,但具有向5V环境提供TTL接口的能力。LVT16373和LVTH16373采用先进的BiCMOS技术制造,以实现类似于5V ABT的高速操作,同时保持低功耗。
### 封装信息
- FBGA:54-Bal Fine-Pitch Bal Grid Array (FBGA), JEDEC MO-205, 5.5mm Wide
- SSOP:48-Lead Small Shrink Outline Package (SSOP), JEDEC MO-118, 0.300" Wide
- TSSOP:48-Lead Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP), JEDEC MO-153, 6.1mm Wide