### 物料型号
- 型号:BCW31
### 器件简介
- BCW31是一种通用的NPN型外延平面晶体管,封装形式为SOT-23。
### 引脚分配
- 1. Base(基极)
- 2. Emitter(发射极)
- 3. Collector(集电极)
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 集-基电压(VCBO):30V
- 集-射电压(VCEO):20V
- 发-基电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):100mA
- 集电极耗散功率(Pc):350mW
- 存储温度(TSTG):150℃
### 功能详解
- BCW31具有以下电气特性:
- 集-基击穿电压(BVcbo):在Ic=10mA, Ie=0条件下,最小值为30V
- 集-射击穿电压(BVceo):在Ic=2mA, Ie=0条件下,最小值为20V
- 发-基击穿电压(Bvebo):在Ic=10mA, Ie=0条件下,最小值为5V
- DC电流增益(hFE):在Vce=5V, Ic=2mA条件下,范围为110至220
- 集-射饱和电压(Vce(sat)):在Ic=10mA, Ib=0.5mA条件下,最大值为0.25V
- 基-发射开启电压(Vbe(on)):在Vce=5V, Ic=2mA条件下,范围为0.55至0.7V
- 输出电容(CoB):在Vce=10V, Ic=0条件下,f=1MHz时,最大值为4pF;在Vce=5V, Ic=0.2mA条件下,值未给出
### 应用信息
- BCW31适用于一般用途的晶体管应用,具体的应用场景未在文档中详细说明。
### 封装信息
- 封装形式:SOT-23