1. 物料型号:
- BCW61A
- BCW61B
- BCW61C
- BCW61D
2. 器件简介:
- BCW61A/B/C/D是PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR,即PNP型外延硅晶体管,属于通用晶体管。
3. 引脚分配:
- 1. Base(基极)
- 2. Emitter(发射极)
- 3. Collector(集电极)
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值:
- 集电极-基极电压(Vcao):-32V
- 集电极-发射极电压(VCEO):-32V
- 发射极-基极电压(VEBO):-5.0V
- 集电极电流(Ic):-100mA
- 集电极耗散(Pc):350mW
- 存储温度(TSTG):-55~150°C
5. 功能详解:
- 电气特性(TA=25°C):
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):-32V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):-5V
- 集电极截止电流(ICES):-20nA
- hFE(直流电流增益):BCW61A为120-220,BCW61B为140-310,BCW61C为250-460,BCW61D为380-630
- 集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):-0.55V
- 基极-发射极饱和电压(VBe(sat)):0.68-1.05V
- 基极-发射极导通电压(VBe(on)):0.6-0.75V
- 输出电容(CoB):6pF
- 噪声系数(NF):6dB
- 导通时间(toN):150ns
- 关闭时间(ton):800ns
6. 应用信息:
- 该晶体管适用于通用的晶体管应用场合。
7. 封装信息:
- SOT-23封装。