物料型号:
- 型号:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJX4012R
器件简介:
- 应用:开关电路、反相器、接口电路、驱动电路
- 特点:内置偏置电阻(R=47KΩ),与FJX3012R互补
引脚分配:
- 1. 基极(Base)
- 2. 发射极(Emitter)
- 3. 集电极(Collector)
参数特性:
- 绝对最大额定值:在25°C下,除非另有说明
- VCBO:集电-基电压 -40V
- VCEO:集电-发射电压 -40V
- VEBO:发射-基电压 -5V
- Ic:集电极电流 -100mA
- Pc:集电极功率耗散 200mW
- T:结温 150°C
- TSTG:存储温度 -55~150°C
电气特性:在25°C下,除非另有说明
- BVCBO:集电-基击穿电压 -40V
- BVCEO:集电-发射击穿电压 -40V
- CBO:集截止电流 -0.1A
- hFE:直流电流增益 100至600
- VcE(sat):集电-发射饱和电压 -0.3V
- Cob:输出电容 5.5pF
- fT:电流增益-带宽积 200MHz
- R:输入电阻 32至62KΩ
功能详解:
- FJX4012R是一款PNP外延硅晶体管,具有内置偏置电阻,适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路等。
应用信息:
- 该器件适用于需要PNP晶体管并希望简化电路设计的场合,通过内置偏置电阻减少外部元件数量。
封装信息:
- 封装类型:SOT-323
- 尺寸:2.00±0.20mm x 3° x 1.25±0.10mm x 2.10±0.10 x 0.95±0.15 x 0.90 ±0.10 x 0.05 +0.05 –0.02 x 1.00±0.10 x 1.30±0.10 x 0.275±0.10 x WV x 0.135+0.04 –0.01 x 0.10 Min