### 物料型号
- 型号：IRFW634B / IRFI634B
- 类型：250V N-Channel MOSFET
### 器件简介
这些N-Channel增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的、平面、DMOS技术生产。这种先进技术特别定制，以最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。
### 引脚分配
文档中提供了两种封装的引脚图：
- D2-PAK：IRFW系列
- DI2-PAK：IRFI系列
### 参数特性
- 最大漏源电压(VDss)：250V
- 连续漏电流(Id)：在25°C时为8.1A，在100°C时为5.1A
- 脉冲漏电流(DM)：32.4A
- 栅源电压(VGSS)：±30V
- 雪崩能量(EAS)：200mJ
- 雪崩电流(AR)：8.1A
- 重复雪崩能量(EAR)：7.4mJ
- di/dt能力：5.5V/ns
- 功率耗散(PD)：在25°C时为3.13W，超过25°C时为74W
- 热阻(ReJC, ReJA, RaJA)：分别为1.69°C/W、40°C/W、62.5°C/W
### 功能详解
这些MOSFET具有低栅极电荷（典型29nC）、低Crss（典型20pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，适用于需要高效率开关的应用。
### 应用信息
这些器件适用于高效率开关DC/DC转换器和开关模式电源。
### 封装信息
- D2-PAK：IRFW634B
- DI2-PAK：IRFI634B
