### 物料型号
- 型号:KSD227
- 制造商:Fairchild Semiconductor
### 器件简介
KSD227是一个NPN外延硅晶体管,用作低频功率放大器,是KSA642的补充。
### 引脚分配
- 1. 发射极(Emitter)
- 2. 基极(Base)
- 3. 集电极(Collector)
### 参数特性
- 绝对最大额定值:
- 集-基电压(VCBO):30V
- 集-发电压(VCEO):25V
- 发-基电压(VEBO):5V
- 集电极电流(Ic):300mA
- 集电极功率耗散(Pc):400mW
- 结温(TJ):150°C
- 储存温度(TSTG):-55°C至150°C
- 电气特性(25°C除非另有说明):
- 集-基击穿电压(BVCBO):30V
- 集-发击穿电压(BVCEO):25V
- 发-基击穿电压(BVEBO):5V
- 集截止电流(ICBO):0.1A
- 发截止电流(EBO):0.1A
- DC电流增益(hFE):70至400
- 集-发饱和电压(VCE(sat)):0.14至0.4V
### 功能详解
KSD227作为一个低频功率放大器,适用于音频放大等应用,其特点是较高的功率耗散能力和适中的电流增益,使其适合于驱动扬声器等负载。
### 应用信息
KSD227适用于低频音频放大器,可以作为音频信号的功率放大元件,适用于小型音响系统和音频放大器。
### 封装信息
KSD227采用TO-92封装,具体尺寸为:
- 长度:3.86mm(最大)
- 宽度:1.02mm±0.10mm
- 高度:0.38mm+0.10mm/-0.05mm(0.25mm)