### 物料型号
- 型号:KST05/KST06
### 器件简介
- 类型:NPN外延硅晶体管
- 用途:驱动晶体管,与KST55/56互补
### 引脚分配
- 1. Base(基极)
- 2. Emitter(发射极)
- 3. Collector(集电极)
### 参数特性
- 集电极-发射极电压(VCEO):
- KST05:60V
- KST06:80V
- 集电极功耗(Pc):最大350mW
- 存储温度(TSTG):150°C
- 热阻(RTH(j-a)):357°C/W
### 功能详解
- 电气特性:
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):KST05为60V,KST06为80V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):4V
- 集电极截止电流(CBO):KST05为0.1μA,KST06为0.1μA
- 集电极截止电流(ICEO):0.1μA
- 直流电流增益(hFE):最小50
- 集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):0.25V
- 基极-发射极导通电压(VBE(on)):1.2V
- 电流增益-带宽积(fT):100MHz
### 应用信息
- 该晶体管适用于需要高电压、低功耗驱动的应用场合。
### 封装信息
- 封装类型:SOT-23
- 尺寸:具体尺寸图示已提供,但未列出具体数值。