SFS9634

厂商：
FAIRCHILD(仙童半导体)
封装：
描述：
SFS9634 - Advanced Power MOSFET - Fairchild Semiconductor

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SFS9634 数据手册

Advanced Power MOSFET FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) : 0.876 Ω (Typ.) 1 2 3 SFS9634 BVDSS = -250 V RDS(on) = 1.3 Ω ID = -3.4 A TO-220F 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv/dt PD TJ , TSTG TL Characteristic Drain-to-Source Voltage Continuous Drain Current (TC=25 C) Continuous Drain Current (TC=100 C) Drain Current-Pulsed Gate-to-Source Voltage Single Pulsed Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt Total Power Dissipation (TC=25 C) Linear Derating Factor Operating Junction and Storage Temperature Range Maximum Lead Temp. for Soldering Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds o o o Value -250 -3.4 -2.6 1 O Units V A A V mJ A mJ V/ns W W/ C o -14 + 30 _ 145 -3.4 3.3 -4.8 33 0.26 - 55 to +150 O 1 O 1 O 3 O 2 o C 300 Thermal Resistance Symbol RθJC RθJA Characteristic Junction-to-Case Junction-to-Ambient Typ. --Max. 3.79 62.5 Units o C/W Rev. B ©1999 Fairchild Semiconductor Corporation SFS9634 Symbol BVDSS ∆BV/∆TJ VGS(th) IGSS IDSS RDS(on) gfs Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Characteristic Drain-Source Breakdown Voltage Breakdown Voltage Temp. Coeff. Gate Threshold Voltage Gate-Source Leakage , Forward Gate-Source Leakage , Reverse Drain-to-Source Leakage Current Static Drain-Source On-State Resistance Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain( “ Miller “ ) Charge Min. Typ. Max. Units -250 --2.0 ------------------0.22 ------3.2 750 110 45 13 20 40 16 29 5.4 15.5 ---4.0 -100 100 -10 -100 1.3 -975 165 65 35 50 90 40 37 --nC ns pF µA Ω Ω V V nA P-CHANNEL POWER MOSFET Electrical Characteristics (TC=25oC unless otherwise specified) Test Condition VGS=0V,ID=-250µA See Fig 7 VDS=-5V,ID=-250µA VGS=-30V VGS=30V VDS=-250V VDS=-200V,TC=125 C VGS=-10V,ID=-1.7A VDS=-40V,ID=-1.7A 4 O 4 O o o V/ C ID=-250µA VGS=0V,VDS=-25V,f =1MHz See Fig 5 VDD=-125V,ID=-5.0A, RG=12 Ω See Fig 13 45 OO VDS=-200V,VGS=-10V, ID=-5.0A See Fig 6 & Fig 12 45 OO Source-Drain Diode Ratings and Characteristics Symbol IS ISM VSD trr Qrr Characteristic Continuous Source Current Pulsed-Source Current Diode Forward Voltage Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge 1 O Min. Typ. Max. Units --------170 1.17 -3.4 -14 -5.0 --A V ns µC Test Condition Integral reverse pn-diode in the MOSFET TJ=25 C,IS=-3.4A,VGS=0V TJ=25 C,IF=-5.0A diF/dt=100A/µs 4 O o o O 4 Notes ; 1 O Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature 2 O L=20mH, I AS=-3.4A, V DD=-50V, R G=27Ω*, Starting T J =25oCo _ _ _ 3 O ISD

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SFS9634

物料型号： - 型号：SFS9634

器件简介： - SFS9634是一款P沟道功率MOSFET，具有以下特点： - 采用Avalanche Rugged技术和Rugged Gate Oxide技术，提高了可靠性。 - 较低的输入电容，改善了开关性能。 - 扩展了安全工作区域。 - 较低的漏电流（最大10 µA @ VDS=-250 V）。 - 低RDS(ON)（典型值0.876 Ω）。

引脚分配： - 1. Gate（栅极） - 2. Drain（漏极） - 3. Source（源极）

参数特性： - 绝对最大额定值： - Vpss（漏源电压）：-250V - D（连续漏电流，Tc=25°C）：-3.4A - IDM（脉冲漏电流）：-14A - VGS（栅源电压）：+30V - EAS（单脉冲雪崩能量）：145mJ - AR（雪崩电流）：-3.4A - dv/dt（峰值二极管恢复dv/dt）：-4.8V/ns - Po（总功率耗散，Tc=25°C）：330.26W/°C - TjTSTG（工作结和储存温度范围）：-55至+150°C - 热阻： - RoJC（结到外壳）：3.79°C/W - RBJA（结到环境）：62.5°C/W

功能详解： - 电气特性（Tc=25°C除非另有说明）： - BVpss（漏源击穿电压）：-250V - VGs(th)（栅阈值电压）：-2.0V - IGss（栅源漏电流，正向）：未给出具体数值 - Rps(an)（静态漏源导通电阻）：未给出具体数值 - 9is（正向跨导）：3.2pS - Ciss（输入电容）：750pF - Coss（输出电容）：110pF - Crss（反向转移电容）：45pF - td(on)（开通延迟时间）：13ns - tr（上升时间）：20ns - td(otf)（关断延迟时间）：40ns - tf（下降时间）：16ns - Q（总栅电荷）：29nC

应用信息： - 该MOSFET适用于需要高可靠性和高性能的功率管理应用，如电源管理、电机控制和逆变器等。

封装信息： - 封装类型：TO-220F

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