### 物料型号
- FMS2013-000-WP：裸芯片 - 华夫饼包装
- FMS2013-000-GP：裸芯片 - 凝胶包装
- FMS2013-000-EB：裸芯片安装在评估板上
- FMS2013-000-FF：晶圆安装在膜框架上
### 器件简介
FMS2013是一款低损耗、高功率、线性单刀双掷砷化镓开关，设计用于DC至4GHz的通用应用。该芯片使用Filtronic FL05 0.5µm开关工艺技术制造，为开关应用提供市场领先的性能。
### 引脚分配
| Pad Reference | Pad Name | Description | Pin Coordinates (um) |
| --- | --- | --- | --- |
| A | G1 | GND1 | 159,286 |
| B | RFI | RFIN | 159,446 |
| C | C2 | Vctrl1 | 159,606 |
| D | C1 | Vctrl2 | 159,766 |
| E | RFO1 | RFO1 | 757,857 |
| F | G2 | GND2 | 757,555 |
| G | G3 | GND3 | 757,414 |
| H | RFO2 | RFO2 | 757,112 |
### 参数特性
- Tx Insertion Loss：4GHz时，小于1.0 dB
- Rx Insertion Loss：4GHz时，小于1.0 dB
- Return Loss：4GHz时，大于15 dB
- VSWR On State：4GHz时，1:1.3
- VSWR Off State：4GHz时，1:1.4
- Isolation at 4 GHz：大于49 dB
- 2nd Harmonic Level：在3GHz时，控制电压为3V和5V，分别为-72 dBc和-68 dBc
- Switching speed：在21dBm时，从10%到90%的RF，为30 ns
### 功能详解
FMS2013是一款SPDT GaAs高隔离吸收式开关，工作频率范围为DC至4GHz。该开关具有优异的低控制电压性能、谐波性能以及高隔离度。
### 应用信息
适用于DC至4GHz频率范围内的通用应用，需要外部DC阻断电容器（典型值为47pF）。
### 封装信息
- Die Size：870x970 um
- Die Thickness：150 um
- Min.Bond Pad Pitch：141 um
- Min. Bond pad Opening：94x94 um
