1. 物料型号：
- FMS2013-000-WP：裸芯片 - 瓦夫包装
- FMS2013-000-GP：裸芯片 - 凝胶包装
- FMS2013-000-EB：裸芯片安装在评估板上
- FMS2013-000-FF：晶圆安装在膜框架上
2. 器件简介：
FMS2013是一款低损耗、高功率、线性单刀双掷砷化镓开关，设计用于DC至4GHz的通用应用。该器件使用Filtronic FL05 0.5µm开关工艺技术制造，为开关应用提供市场领先的性能。
3. 引脚分配：
- A (G1)：GND1，坐标159,286
- B (RFI)：RFIN，坐标159,446
- C (C2)：Vctrl1，坐标159,606
- D (C1)：Vctrl2，坐标159,766
- E (RFO1)：RFO1，坐标757,857
- F (G2)：GND2，坐标757,555
- G (G3)：GND3，坐标757,414
- H (RFO2)：RFO2，坐标757,112
4. 参数特性：
- 插入损耗（Tx/Rx）：4GHz时典型值<1.0dB
- 回波损耗：4GHz时典型值>15dB
- 隔离度：4GHz时典型值>49dB
- 二次谐波水平：3GHz时，输入功率分别为21dBm和27dBm，控制电压分别为3V和5V，典型值分别为-72dBc和-68dBc
- 切换速度：输入功率为21dBm时，从10%到90%的RF，典型值为30ns
5. 功能详解：
FMS2013提供优异的低控制电压性能和高隔离度（>49dB典型值，直至4GHz），非常低的Tx插入损耗（<1.0dB在4GHz）。适用于需要高隔离度和低插入损耗的应用。
6. 应用信息：
适用于DC至4GHz频率范围内的通用应用，特别是在需要高隔离度和低插入损耗的场景。
7. 封装信息：
封装细节未在文档中明确说明，但提到了评估板和安装方法，建议使用导电胶和金（Au）键合垫，推荐使用25.4µm直径的金丝进行热超声球键合。
