FPD1000V

物料型号： - 型号：FPD1000V

器件简介： - FPD1000V是一款离散耗尽模式AlGaAs/InGaAs伪高电子迁移率晶体管（pHEMT），针对L-和C-波段功率应用进行了优化。该型号包含源极镀通孔，无需对源极进行线焊。

引脚分配： - 门极（Gate）：650 x 800微米 - 垫片（PAD）：2倍 - 芯片厚度：75微米 - 键合垫（Bonding Pads）：大于70 x 65微米

参数特性： - 在1.8 GHz下测量的射频规格，包括功率增益、最大稳定增益、功率附加效率等。 - 功率在1dB增益压缩点（P1dB）：31 dBm - 功率增益在dB增益压缩点（GIdB）：16 dB - 最大稳定增益（MSG）：20 dB - 功率附加效率在1dB增益压缩点（PAE）：50%

功能详解： - FPD1000V适用于PCS/蜂窝基站发射机放大器的驱动器或输出级，以及WLL/WLAN放大器中的其他功率应用。

应用信息： - 典型应用包括PCS/蜂窝基站发射机放大器的驱动器或输出级，以及WLL/WLAN放大器中的其他功率应用。

封装信息： - 封装细节未在文档中明确说明，但提到了源极镀通孔技术，无需对源极进行线焊。