### 物料型号
- 型号:FPD3000
### 器件简介
FPD3000是一款基于AlGaAs/InGaAs伪高电子迁移率晶体管(PHEMT)的2W功率放大器。它具有0.25微米乘以3000微米的肖特基障碍门,通过高分辨率步进式光刻技术定义。其凹槽门结构最小化了寄生参数,以优化性能。外延结构和处理已经针对可靠的高功率应用进行了优化。FPD3000也提供低成本的塑料SOT89封装。
### 引脚分配
- A1/A2/A3/A4:栅极(Gate Pads)
- B1/B2/B3/B4:漏极(Drain Pads)
- C:源极(Source Pad)
### 参数特性
- 线性输出功率:在12 GHz时为32.5 dBm
- 功率增益:在12 GHz时为6.5 dB
- 最大稳定增益:在12 GHz时为8 dB
- 输出IP3:42 dBm
- 功率附加效率:30%
### 功能详解
FPD3000适用于窄带和宽带高性能放大器、卫星通信上行链路发射器、PCS/蜂窝低电压高效率输出放大器、中距离数字无线电发射器等。
### 应用信息
FPD3000可用于以下应用:
- 窄带和宽带高性能放大器
- 卫星通信上行链路发射器
- PCS/蜂窝低电压高效率输出放大器
- 中距离数字无线电发射器
### 封装信息
FPD3000提供塑料SOT89封装。