2SK2052-R

1. 物料型号： - 型号名称：2SK2052-R

2. 器件简介： - 该器件是由富士电机有限公司生产的N-channel增强型功率MOSFET，适用于开关应用。

3. 引脚分配： - 封装形式为TO-3PF。

4. 参数特性： - 漏源电压（Vos）：500V - 漏极-栅极电压（VGD）：500V（Ras=20kΩ） - 连续漏极电流（I）：±10A - 脉冲漏极电流（I）：±40A - 栅源电压（Vgs）：±20V - 最大耗散功率（Pd）：80W - 工作和存储温度范围1（Tc）：-55~+150℃

5. 功能详解： - 该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。

6. 应用信息： - 主要应用于开关领域。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PF。