MB82DBS04164E-70L

厂商：
FUJITSU(富士通)
封装：
描述：
MB82DBS04164E-70L - 64 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, Burst Mode & Page Mode - Fujitsu Component Limited.

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FUJITSU SEMICONDUCTOR INTRODUCTION SHEET NP05-11448-2E 64 Mbit Mobile FCRAM 1.8 V, Burst Mode & Page Mode MB82DBS04164E-70L F EATURES • • • • • • TM Pseudo SRAM with Single Data Rate (SDR) Burst Interface Complies with Common Specifications for Mobile RAM (COSMORAM) Revision 3 8 Words Page Read Access Capability _____ ______ • • Byte Control with LB, UB pin Low Power Consumption Various Power Down Mode Sleep 8 Mbit Partial 16 Mbit Partial 32 Mbit Partial Chip / Wafer Business 71pin Plastic FBGA Package for Engineering Sample only M AIN SPECIFICATIONS Part Number Organization Supply Voltage Burst Frequency (Max.) CLK Access Time (Max.) Page Address Access Time (Max.) Address Access Time (Max.) Active Current (Max.) Standby Current (Max.) Power Down Current (Max.) Sleep RL＝7 RL＝6, 7 MB82DBS04164E-70L 4 M WORD × 16 BIT 1.7 V to 1.95 V 104 MHz 7 ns 20 ns 70 ns 40 mA 200 μA 10 μA Note: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan. September, 2007 1/1 Copyright©2007 FUJITSU LIMITED All rights reserved

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MB82DBS04164E-70L

1. 物料型号： - 型号为MB82DBS04164E-70L。

2. 器件简介： - 该器件是一款64Mbit的移动FCRAM，工作电压为1.8V，支持突发模式和页面模式。

3. 引脚分配： - 提供了71引脚塑料FBGA封装，仅供工程样品使用。

4. 参数特性： - 组织结构：4M WORD x 16 BIT。 - 供电电压：1.7V至1.95V。 - 最大突发频率：104MHz（RL=7）。 - 最大时钟访问时间：7纳秒（RL=6,7）。 - 最大页面地址访问时间：20纳秒。 - 最大地址访问时间：70纳秒。 - 最大活动电流：40毫安。 - 最大待机电流：200微安。 - 最大功耗下电流（睡眠模式）：10微安。

5. 功能详解： - 伪SRAM，具有单数据速率（SDR）突发接口。 - 符合移动RAM通用规范（COSMORAM）修订版3。 - 8字节页面读取访问能力。 - 支持字节控制，具有LB和UB引脚。 - 支持多种功耗降低模式，包括睡眠模式、8Mbit部分、16Mbit部分和32Mbit部分。

6. 应用信息： - 适用于需要低功耗和高性能存储解决方案的移动设备。

7. 封装信息： - 封装类型为71引脚塑料FBGA，专为工程样品设计。

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