IRFF111

1. 物料型号： - IRFF110, IRFF111, IRFF112, IRFF113

2. 器件简介： - 这些是N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors，具有3.0A和3.5A的电流承受能力，以及60V至100V的电压承受能力。它们具备纳秒级的开关速度和线性传输特性。

3. 引脚分配： - 这些器件采用JEDEC TO-205AF (LOW-PROFILE TO-39)金属封装。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括漏源电压(VDs)、漏极-栅极电压(VpGR)、连续漏极电流(lp@TC-25°C)、脉冲漏极电流(IOM)、栅源电压(VGS)、最大功耗(Po@TC25°C)等。 - 电气特性包括漏源击穿电压(BVpss)、栅极阈值电压(Vosth)、栅源漏电流(iass)、栅源反向漏电流(GSS)、零栅源电压漏极电流(loss)、导通状态漏极电流(Don)、静态漏源导通电阻(RoSlon)等。

5. 功能详解： - 这些MOSFETs可以由集成电路直接驱动，具备低内阻和高速开关特性，适用于需要高效率和快速开关的应用。

6. 应用信息： - 适用于需要高效率和快速开关的应用场景，如电源管理、电机控制和汽车电子等。

7. 封装信息： - 这些器件采用JEDEC TO-205AF (LOW-PROFILE TO-39)金属封装，具有较好的热传导性能。