物料型号:
- 型号:LC709203F7T
- 类型:N沟道MOSFET
器件简介:
- LC709203F7T是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和低栅极电荷特性,适用于低功耗开关应用。
引脚分配:
- G(栅极):控制MOSFET开关的电压输入端。
- D(漏极):电流流出的端点。
- S(源极):电流流入的端点。
参数特性:
- 最大漏源电压(VDS):20V
- 导通电阻(RDS(on)):2.0Ω(最大值)
- 栅源电压(VGS):4.5V(最大值)
- 栅极电荷(Qg):3.0nC(最大值)
功能详解:
- LC709203F7T在导通状态下,漏极和源极之间的电阻非常低,适合用于需要低功耗开关的应用,如电池供电设备。
应用信息:
- 适用于电池供电设备,如移动电话、笔记本电脑等。
封装信息:
- 封装类型:SOT-89
- 封装尺寸:3.0mm x 3.0mm