1. 物料型号:
- 型号系列为BZV55,包括不同电压等级和容差规格的型号,例如BZV55-B2V4、BZV55-C3V0等。
2. 器件简介:
- 该器件为硅平面功率齐纳二极管,用于低电压稳定或电压参考。齐纳电压根据国际E24标准分级,可应要求提供更高齐纳电压和1%容差的产品。二极管提供±2%(BZV55-B)、±3%(BZV55-F)和±5%(BZV55-C)的容差系列。
3. 引脚分配:
- 采用MiniMELF玻璃封装(SOD-80),具有两个引脚,阴极带颜色为蓝色。
4. 参数特性:
- 包括最大功耗(500mW)、结温(-65至+175℃)、存储温度范围(-65至+175℃)、连续正向电流(250mA)、热阻(RaJA为0.38℃/mW,Rat为0.30℃/mW)和峰值反向功耗(非重复性,t=100us,30W)。
5. 功能详解:
- 齐纳二极管在达到热平衡之前,齐纳电压随温度变化的情况,以及齐纳电压与结温的关系。
6. 应用信息:
- 主要用于低电压稳定和电压参考,适用于需要电压稳定或参考电压的电路。
7. 封装信息:
- 封装为MiniMELF玻璃封装(SOD-80),重量约为0.05g。