GSFN0207

物料型号：GSFN0207 器件简介：GSFN0207是一款20V双P沟道MOSFET，采用先进的MOSFET工艺技术，具有快速开关和反向体恢复特性，非常适合高效率开关模式电源供应和其他应用。

引脚分配：D1、D2为漏极，G1、G2为栅极，S1、S2为源极。

参数特性：漏源电压(V(BR)DSS)为-20V，导通电阻(RDS(ON))为33mΩ，连续漏极电流(Io)为-7.5A。

功能详解：该器件具有高单元密度和低导通电阻，非常高效可靠，符合ROHS标准。

应用信息：适用于高效率开关模式电源供应和其他应用。

封装信息：PPAK3x3，具体尺寸见数据手册中的Package Outline Dimensions部分。