GSFP1526

物料型号：GSFP1526

器件简介： GSFP1526是一款150V N-Channel MOSFET，采用先进的MOSFET工艺技术，具有快速开关和反向体恢复特性，非常适用于高效率开关模式电源及其他多种应用。

引脚分配： - D：漏极(Drain) - S：源极(Source) - G：栅极(Gate)

参数特性： - 漏源电压(Vos)：150V - 栅源电压(VGs)：+20V - 连续漏电流(lp)：25A（25°C时）/ 16A（100°C时） - 脉冲漏电流(IOM)：100A - 单脉冲雪崩能量(EAS)：33mJ - 单脉冲雪崩电流(IAs)：26A - 功率耗散(Po)：101W（25°C时） - 功率耗散随温度降低(0.81W/°C) - 结到环境的热阻(RaJA)：62°C/W - 结到外壳的热阻(RaJc)：1.23°C/W

功能详解： - 该器件利用最新技术实现高单元密度和低导通电阻，非常高效可靠。 - 静态导通电阻(RDS(ON))：在VGs=10V, ID=20A条件下，最小值为43mΩ，典型值为51mΩ。 - 总栅极电荷(Qg)：在Vos=80V, ID=15A, VGs=10V条件下，最小值为15nC，典型值为23nC。

应用信息： 适用于高效率开关模式电源和其他多种应用。

封装信息： - 封装类型：PPAK5x6 - 尺寸数据以毫米和英寸为单位提供，包括最小和最大尺寸。

订购信息包括器件型号、封装类型、标记、数量以及是否符合RoHS标准。