MMBT589

物料型号：MMBT589 器件简介：MMBT589 是一款用于便携式应用中负载管理的高电流表面贴装PNP硅开关晶体管。

引脚分配：1. 基极（BASE），2. 发射极（EMITTER），3. 集电极（COLLECTOR）。

参数特性： - 集电极-基极电压（VcBO）：-50V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-30V - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V - 集电极电流-连续（Ic）：-1A - 集电极功耗（Pc）：310mW - 热阻，结到环境（RBJA）：403°C/W - 结温（TJ）：-55至+150°C - 存储温度（TSTG）：-55至+150°C 功能详解： - 直流电流增益（hFE）：在不同的集电极电流（Ic）下，hFE值在40至300之间。

- 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在不同的集电极电流（Ic）和基极电流（Ib）下，VCE(sat)值从-0.25V至-0.65V不等。

- 基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：在Ic=-1A和Ib=-100mA时，VBE(sat)的值为-1.2V。

- 基极-发射极开启电压（VBE(on)）：在VcE=-2V和Ic=-1A时，VBE(on)的值为-1.1V。

- 转换频率（fr）：在VcE=-5V、Ic=-100mA和f=100MHz时，fr的值为100MHz。

- 集电极输出电容（Cob）：在f=1MHz时，Cob的值为15pF。

应用信息：适用于便携式应用中负载管理。

封装信息：SOT-23封装，尺寸和推荐焊盘布局已提供。

标记为589，每卷3000pcs，符合RoHS标准。