产品规格书
G2S06506A
650V/6A 碳
硅肖特基功率
极管
产品特性
•
•
•
•
•
产品概览
正温度系数,易于并联使用
不 温度影响的开关特性
最高工作温度 1陆5℃
零反向恢复电流
零正向恢复电压
VRRM
650
V
10
A
17.6
nC
IF, Tc≤135℃
QC
产品优点
•
•
•
•
单极器件
极大降 开关损耗
并联器件中没 热崩溃
降 系统对散热 的依赖
应用领域
• 开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC)
• 电机驱动,光伏逆 器,不间断电源,
风力发动机,列车牵引系统,电动汽车
产品型
G2S06506A
G2S06506A
封装形式
打标
TO-220-2 pin
G2S06506A
©2015 泰科天润半导体科技
京
限公
-
权所
650V/6A 碳
G2S06506A
硅肖特基功率
极管
额定值
参数
标识
测试条件
数值
单
反向重复峰值电压
反向浪涌峰值电压
反向直流电压
VRRM
VRSM
VDC
Tj=25℃
Tj=25℃
Tj=25℃
TC=25℃
TC=135℃
TC=152℃
TC=25℃= =p=10== , Half Sine
Wave,D=0.3
TC=25℃= =p=10== , Half Sine
Wave
TC=25℃
TC=110℃
650
650
650
21.5
10
6
30
V
V
V
A
42
A
85.8
39
135
-55℃ =5 155℃
W
W
℃
正向
均电流
IF
正向重复峰值电流
IFRM
正向不重复峰值电流
IFSM
耗散功率
PTOT
最大环境温度
TC
工作温度
Tj
贮藏温度
T==g
℃
-55℃ =5 155℃
M3 Screw
6-32 Screw
安装扭矩
A
℃
1
8.8
N=
lbf-in
热特性
参数
标识
测试条件
数值
单
典型值
结到管壳的热阻
G2S06506A
R=h JC
℃/W
1.548
©2015 泰科天润半导体科技
京
限公
-
权所
650V/6A 碳
G2S06506A
硅肖特基功率
极管
电学特性,无特殊说明时结温 TTT25℃
参数
标识
正向压降
VF
反向电流
IR
总存储电荷
QC
总电容
C
数值
典型值 最大值
1.44
1.8
1.53
2.5
10
100
15
200
测试条件
IF=6A= Tj=25℃
IF=6A= Tj=155℃
VR=650V= Tj=25℃
VR=650V= Tj=155℃
VR=650V= IF=6A=
di/d==500A/u== Tj=25℃
VR=0V= Tj=25℃= f=1MH=
15.6
µA
434
44
42.5
VR=200V= Tj=25℃= f=1MH=
VR=400V= Tj=25℃= f=1MH=
V
-
424
单
45
43
nC
pF
性能曲线
1) 典型正向特性
IF=f(VF),结温 Tj 为参数
2)典型反向特性
IR=f(VR),结温 Tj 为参数
版.0
0.1际
片.0
0.14
Tj=25℃
Tj=陆5℃
T j = 25 ℃
Tj=125℃
陆.0
0.12
Tj=1陆5℃
T j = 陆5 ℃
T j = 12 5 ℃
际.0
T j = 1陆 5 ℃
5.0
IR ( m A )
IF ( A )
0.1
4.0
0.0片
0.0际
3.0
0.04
2.0
0.02
1.0
0.0
0
0
0.4
0.片
1.2
1.际
2
2.4
0
100
200
300
V F (V)
G2S06506A
400
500
际00
陆00
片00
V R (V)
©泰科天润半导体科技
京
限公
-
权所
650V/6A 碳
G2S06506A
3) 不同负载下的电流 Current Derating
10%,30%,50%,70%,DC
硅肖特基功率
极管
4)典型电容-反向电压曲线
片0
500
陆0
1 0 % D u ty
350
50
300
C( p F )
IF ( p 年 a k ( A )
400
陆 0 % D u ty
DC
际0
450
3 0 % D u ty
5 0 % D u ty
40
250
200
30
150
20
100
10
50
0
0
25
50
陆5
100
125
150
1陆5
0.01
0.1
1
TC ℃
封装形式:TO-220
10
100
1000
V R (V)
Millimeters
Inches
DIM
Min.
Max.
Min.
Max.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
C
1.23
1.32
0.048
0.052
D
2.4
2.72
0.094
0.107
E
0.49
0.7
0.019
0.028
F
0.61
0.88
0.024
0.035
F1
1.14
1.7
0.045
0.067
F3
1
0.039
G
4.95
5.15
0.195
0.203
H1
7.7
7.9
0.303
0.311
H2
10
10.4
0.394
0.409
L2
16.4
0.646
L3
28.9
1.138
L4
13
14
0.512
0.551
L5
2.65
2.95
0.104
0.116
L6
15.25
15.75
0.600
0.620
L7
6.2
6.6
0.244
0.260
L9
3.5
3.93
0.138
0.155
3.85
0.148
0.152
M
2.6
V
5°
V2
30°
V4
45°
diam
G2S06506A
3.75
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京
限公
-
权所
650V/6A 碳
G2S06506A
硅肖特基功率
极管
说明:
ISO9001:2008 质量管理体系要求于 2009
3
1 日实施 ISO9000 族标准是
标准
组织 ISO 于 1985
颁布的在全世界
范围内通用的关于质量管理和质量保证方面的系列标准 ISO9001 质量体系认证是指第三方 认证机构 对企业的质量体系进行
审核
评定和注册活动,其目的在于通过审核
授予合格证书并予以注册的全部活动
过公
评定和
后监督来证明企业的质量体系符合 ISO9001 标准,对符合标准要求者
泰科天润半导体科技
京
限公
的 ISO9001:2008 以及其他资质证书信息可以通
官网查询:h==p://www.gl5balp5wer=ech.cn/C5=pVi=ualize.a=p
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信息敬请登
官网:
h==p://www.gl5balp5wer=ech.cn/
G2S06506A
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京
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