G2S06508A

产品规格书 G2S06508A 650V/8A 碳 硅肖特基功率 极管 产品特性 • • • • • 产品概览 正温度系数，易于并联使用 不 温度影响的开关特性 最高工作温度 1陆5℃ 零反向恢复电流 零正向恢复电压 VRRM 650 V IF, Tc≤135℃ 11 A QC 23 nC 产品优点 • • • • 单极器件 极大降 开关损耗 并联器件中没 热崩溃 降 系统对散热 的依赖 应用领域 • 开关模式电源(SMPS)，功率因数校正(PFC) • 电机驱动，光伏逆 器，不间断电源， 风力发动机，列车牵引系统，电动汽车 产品型 G2S06508A G2S06508A 封装形式 打标 TO-220-2 pin G2S06508A ©2015 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/8A 碳 G2S06508A 硅肖特基功率 极管 额定值 参数 标识 测试条件 数值 单 反向重复峰值电压 反向浪涌峰值电压 反向直流电压 VRRM VRSM VDC Tj=25℃ Tj=25℃ Tj=25℃ TC=25℃ TC=135℃ TC=151℃ TC=25℃= =p=10== ， Half Sine Wave，D=0.3 TC=25℃= =p=10== ， Half Sine Wave TC=25℃ TC=110℃ 650 650 650 25.5 11 8 40 V A 56 A 102.4 45 135 -55℃ =5 155℃ W W ℃ 正向 均电流 IF 正向重复峰值电流 IFRM 正向不重复峰值电流 IFSM 耗散功率 PTOT 最大环境温度 TC 工作温度 Tj 贮藏温度 T==g ℃ -55℃ =5 155℃ M3 Screw 6-32 Screw 安装扭矩 A ℃ 1 8.8 N= lbf-in 热特性 参数 标识 测试条件 数值 单 典型值 结到管壳的热阻 G2S06508A R=h JC ℃/W 1.465 ©2015 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/8A 碳 G2S06508A 硅肖特基功率 极管 电学特性，无特殊说明时结温 TTT25℃ 参数 标识 正向压降 VF 反向电流 IR 总存储电荷 QC 总电容 C 数值 典型值 最大值 1.45 1.8 1.58 2.5 10 100 15 200 测试条件 IF=8A= Tj=25℃ IF=8A= Tj=155℃ VR=650V= Tj=25℃ VR=650V= Tj=155℃ VR=650V= IF=8A= di/d==500A/u== Tj=25℃ VR=0V= Tj=25℃= f=1MH= 23 µA 588 56.5 54 VR=200V= Tj=25℃= f=1MH= VR=400V= Tj=25℃= f=1MH= V - 550 单 55 54.5 nC pF 性能曲线 1) 典型正向特性 IF=f(VF)，结温 Tj 为参数 2)典型反向特性 IR=f(VR)，结温 Tj 为参数 11.0 0.0版 10.0 0.0片 Tj=25℃ Tj=陆5℃ 版.0 Tj=125℃ 0.0陆 Tj=1陆5℃ T j = 2 5℃ 片.0 T j = 陆 5℃ IR ( m A ) 陆.0 IF ( A ) T j = 1 25 ℃ T j = 1 陆5 ℃ 0.0际 际.0 5.0 0.05 0.04 4.0 0.03 3.0 0.02 2.0 0.01 1.0 0.0 0 0 0.4 0.片 1.2 1.际 2 2.4 0 100 200 300 V F (V) G2S06508A 400 500 际00 陆00 片00 V R (V) ©泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/8A 碳 G2S06508A 3) 不同负载下的电流 Current Derating 10%，30%，50%，70%，DC 硅肖特基功率 极管 4)典型电容-反向电压曲线 版0 际00 片0 1 0 % D u ty 3 0 % D u ty 5 0 % D u ty 500 陆 0 % D u ty DC 陆0 550 450 际0 50 350 C( p F ) IF ( p 年 a k ( A ) 400 40 300 250 30 200 20 150 100 10 50 0 0 25 50 陆5 100 125 150 1陆5 0.01 0.1 1 TC ℃ 封装形式：TO-220 10 100 1000 V R (V) Millimeters Inches DIM Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 0.173 0.181 C 1.23 1.32 0.048 0.052 D 2.4 2.72 0.094 0.107 E 0.49 0.7 0.019 0.028 F 0.61 0.88 0.024 0.035 F1 1.14 1.7 0.045 0.067 F3 1 0.039 G 4.95 5.15 0.195 0.203 H1 7.7 7.9 0.303 0.311 H2 10 10.4 0.394 0.409 L2 16.4 0.646 L3 28.9 1.138 L4 13 14 0.512 0.551 L5 2.65 2.95 0.104 0.116 L6 15.25 15.75 0.600 0.620 L7 6.2 6.6 0.244 0.260 L9 3.5 3.93 0.138 0.155 3.85 0.148 0.152 M 2.6 V 5° V2 30° V4 45° diam G2S06508A 3.75 ©2015 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所 650V/8A 碳 G2S06508A 硅肖特基功率 极管 说明: ISO9001：2008 质量管理体系要求于 2009 3 1 日实施 ISO9000 族标准是 标准 组织 ISO 于 1985 颁布的在全世界 范围内通用的关于质量管理和质量保证方面的系列标准 ISO9001 质量体系认证是指第三方 认证机构 对企业的质量体系进行 审核 评定和注册活动，其目的在于通过审核 授予合格证书并予以注册的全部活动 过公 评定和 后监督来证明企业的质量体系符合 ISO9001 标准，对符合标准要求者 泰科天润半导体科技 京 限公 的 ISO9001：2008 以及其他资质证书信息可以通 官网查询：h==p://www.gl5balp5wer=ech.cn/C5=pVi=ualize.a=p 更多的产品信息和公 信息敬请登 官网： h==p://www.gl5balp5wer=ech.cn/ G2S06508A ©2015 泰科天润半导体科技 京 限公 - 权所