G2S12002A

Silicon Carbide Global Power Technology 碳化硅肖特基 G2S12002A 率二极管 产品概览 VRRM - 2 A QC 正温度系数，易于并行使用 不 温度影响的开关特性 最高工作温度 175℃ 零反向恢复电流 零正向恢复电压 V IF 特性: 1200 12 nC 应用: - 太阳能逆 器 开关模式电源 SMPS 率因数校正 感应 热 不间断电源 UPS 电机驱动 额定值 参数 标识 测试条件 数值 反向重复峰值电压 VRRM 1200 反向浪涌峰值电压 VRSM 1200 反向直流电压 VDC 单位 1200 正向平均电流 IF V TC=25℃ TC=135℃ TC=155℃ 6.2 3.2 2 A 正向重复峰值电流 IFRM TC=25℃, tp=10ms，Half Sine Wave，D=0.3 10 A 正向不重复峰值电流 IFSM TC=25℃, tp=10ms，Half Sine Wave 14 A 耗散 率 PTOT TC=25℃ 53.2 W TC=110℃ 24 W 最大环境温度 TC 135 ℃ 工作温度 Tj -55℃ to 175℃ ℃ 贮藏温度 Tstg -55℃ to 175℃ ℃ M3 Screw 6-32 Screw 安装扭矩 G2S12002A Nm lbf-in 1/4 Silicon Carbide Global Power Technology G2S12002A 热特性 参数 标识 数值 测试条件 Rth JC 结到管壳的热阻 单位 典型值 ℃/W 2.82 电学特性，无特殊说明时结温 Tj=25℃ 参数 标识 数值 测试条件 典型值 最大值 正向压降 VF IF=2A, Tj=25℃ 1.62 1.8 IF=2A, Tj=175℃ 2.8 3 反向电流 IR VR=1200V, Tj=25℃ 20 100 VR=1200V, Tj=175℃ 30 200 12 - VR=0V, Tj=25℃, f=1MHZ 136 150 VR=400V, Tj=25℃, f=1MHZ 12 13 VR=800V, Tj=25℃, f=1MHZ 11 单位 12 V uA VR=800V, Tj=150℃ QC 总存储电荷 VR Qc = ∫ 0 C 总电容 C (V )dV 3.5 nC pF 0.014 3.0 0.012 Tj=25℃ Tj=75℃ Tj=125℃ 2.5 0.01 Tj=175℃ IF ( A ) IR ( mA ) 2.0 1.5 Tj =2 5℃ Tj =7 5℃ Tj =1 25 ℃ Tj =1 75 ℃ 0.008 0.006 1.0 0.004 0.5 0.002 0.0 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 0 V F (V) 400 600 800 1000 1200 V R (V) 图 1. 典型正向特性 IF=f(VF)，结温 Tj 为参数 G2S12002A 200 图 2. 典型反向特性 IR=f(VR)，结温 Tj 为参数 2/4 1400 Silicon Carbide Global Power Technology G2S12002A 22 160 20 10 % Du ty 18 30 % Du ty 50 % Du ty 16 70 % Du ty DC 140 120 100 12 C( p F ) IF ( p e a k (A ) 14 10 8 80 60 6 40 4 20 2 0 0 25 50 75 100 125 150 175 0.01 TC ℃ 1 10 100 V R (V) 图 4. 典型电容-反向电压曲线 图 3. 不同负载下的电流 Current Derating 10%，30%，50%，70%，DC G2S12002A 0.1 3/4 1000 Silicon Carbide Global Power Technology G2S12002A Package: TO-220 Millimeters Inches DIM Min. Max. Min. Max. A 4.4 4.6 0.173 0.181 C 1.23 1.32 0.048 0.052 D 2.4 2.72 0.094 0.107 E 0.49 0.7 0.019 0.028 F 0.61 0.88 0.024 0.035 F1 1.14 1.7 0.045 0.067 F3 1 0.039 G 4.95 5.15 0.195 0.203 H1 7.7 7.9 0.303 0.311 H2 10 10.4 0.394 0.409 L2 16.4 0.646 L3 28.9 1.138 L4 13 14 0.512 0.551 L5 2.65 2.95 0.104 0.116 L6 15.25 15.75 0.600 0.620 L7 6.2 6.6 0.244 0.260 L9 3.5 3.93 0.138 0.155 3.85 0.148 0.152 M 2.6 V 5° V2 30° V4 45° diam 3.75 Contact us: Global Power Technology Co.,Ltd. Address：Dongsheng Technology Park, Bldg. B-1 West, 66Xixiaokou Road, Haidian District, Beijing, China, 100192 Website：www. globalpowertech.cn E-mail : qiuqi@globalpowertech.cn Tel：+86-10-82156180/82156177 Fax：+86-10-82156218 G2S12002A 4/4