GS72116T-8

GS72116T-8

  • 厂商:

    GSI

  • 封装:

  • 描述:

    GS72116T-8 - 128K x 16 2Mb Asynchronous SRAM - GSI Technology

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
GS72116T-8 数据手册
*6:5449732-2728 62-/#7623/#)30%*$/#74)3 &RPPHUFLDO#7HPS ,QGXVWULDO#7HPS )HDWXUHV ‡#)DVW#DFFHVV#WLPH=#;/#43/#45/#48QV ‡#&026#ORZ#SRZHU#RSHUDWLRQ=#483245824432
GS72116T-8
1. 物料型号: - GS72116TP-8, GS72116TP-10, GS72116TP-12, GS72116TP-15, GS72116TP-81, GS72116TP-10I, GS72116TP-12I, GS72116TP-15I - GS72116J-8, GS72116J-10, GS72116J-12, GS72116J-15, GS72116J-81, GS72116J-10I, GS72116J-12I, GS72116J-15I - GS72116T-8, GS72116T-10, GS72116T-12, GS72116T-15, GS72116T-81, GS72116T-101, GS72116T-12I, GS72116T-15I - GS72116U-8, GS72116U-10, GS72116U-12, GS72116U-15, GS72116U-8I, GS72116U-10I, GS72116U-12I, GS72116U-15I

2. 器件简介: - 该器件是一个高速CMOS静态RAM,具有低功耗和高可靠性的特点,适用于需要快速数据访问的场合。

3. 引脚分配: - Address input: Ao to A16 - Data input/output: DQ1 to DQ16 - Chip enable input: CE - Lower byte enable input (DQ1 to DQ8): LB - Upper byte enable input (DQ9 to DQ16): UB - Write enable input: WE - Output enable input: OE - +3.3V power supply: VDD - Ground: Vss - No connect: NC

4. 参数特性: - 供电电压(VDD): -0.5到+4.6V - 输入电压(VIN): -0.5到VDp+0.5 (最大4.6V) - 输出电压(VOUT): -0.5到VDp+0.5 (最大4.6V) - 允许功耗(PD): 0.7W - 存储温度(TSTG):-55到150℃

5. 功能详解: - 该器件支持快速的数据读写操作,具体包括读、写、保持和禁止输出等多种功能。

6. 应用信息: - 适用于高速数据处理和存储,如计算机内存、高速缓冲存储器等。

7. 封装信息: - 400 mil TSOP-I, 400 mil TSOP-II, 400 mil SOJ, 44 pin TQFP, Fine Pitch BGA等多种封装形式。
GS72116T-8 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“GS72116T-8”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货