GM1015

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1015 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好 ：HFE(0.1mA)/HFE(2mA)=0.95(Typ.) Low Noise 低噪声：NF=1dB(Typ.),10db(Max.). Complementary to GM1815 ■MAXIMUM RATINGS（TA=25℃）最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Tj Tstg Rating 額定值 -50 -50 -5.0 -150 -30 225 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc mW ℃ Characteristic 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature 儲存溫度 ■DEVICE ℃ MARKING 打標 GM1015=BA 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1015 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol Test Condition Min 符號 測試條件 最小值 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO VCB=-50V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 IC=-100μA IC=-1.0mA IE=-100μA VCE=-6V, IC=-2mA IC=-100mA, IB=-10mA VCE=-5.0V, IC=-10mA VCE=-5.0V, IC=-10mA VCB=-10V, IE=0,f=1MHz — TYP 典型值 — Max 最大值 -0.1 Unit 單位 μA μA V — — -0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collector Emitter Breakdown Voltage -50 — — 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage -50 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage -5 — — V hFE 70 — 400 — 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 VCE(sat) VBE fT — — -0.3 V — — -0.82 V 100 180 — MHz Cob —— 4.0 7.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM1015 ■DIMENSION 外形封裝尺寸