桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM1623
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic Rating 額定值 50 60 5.0 100 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc
Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current—Continuous 集電極電流-連續
■THERMAL
CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W -55to+150℃
Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度
■DEVICE
MARKING 打標
GM1623=L4-L7 HFE:90-180=L4; 135-270=L5; 200-400=L6; 300-600=L7
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GM1623
■ELECTRICAL
CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數
■OFF
Symbol 符號
Min 最小值
Typ e 典型值
Max 最大值
Unit 單位
CHARACTERISTICS 截止電特性 IEBO — — 0.1
μA
Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(VEB=5.0v,IC=0) Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCB=60v,IE=0) Collector Saturation Voltage 集電極飽和壓降(Ic=100mAdc,IB=10mA) Base to Emitter Voltage 基極-發射極電壓(VCE=6.0v,IC=1.0mA) DC Current Gain 直流電流增益 (VCE=6.0v,IC=1.0mA) Gain Bandwidth Product 增益帶寬乘積(VCE=6.0v,IC=1.0mA) Output Capacitance 輸出電容(VCB=6v,IE=0,f=1.0MHz) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
ICBO
—
—
0.1
μA
VCE(sat)
—
0.15
0.3
Vdc
VBE HFE
0.55
0.62
0.65
Vdc
90
200
600
fT
—
250
—
MHz
Cob
—
3.0
—
pF
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GM1623
■DIMENSION
外形封裝尺寸
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