GM2222

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic GM2222 30 60 5.0 600 GM2222A 40 75 6.0 600 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■DEVICE -55to+150℃ MARKING 打標 GM2222=1B;GM2222A=1P 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic Symbol Min Max Unit 特性參數 符號 最小值 最大值 單位 — V(BR)CEO GM2222 Collector-Emitter Breakdown Vo ltage(3) 30 Vdc GM2222A 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=10mAdc,IB=0) 40 — — Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO GM2222 60 Vdc 集電極-基極擊穿電壓(Ic=10μAdc,IE=0) GM2222A 75 __ V(BR)EBO GM2222 Emitter-Base Breakdown Voltage 5.0 — Vdc GM2222A 發射極-基極擊穿電壓(IE=10μAdc,Ic=0) 6.0 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICEX GM2222A — 10 nAdc (VCE=60Vdc, VEB(Off)=3.0Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO (VCB=50Vdc,IE=0) GM2222 — 0.01 (VCB=60Vdc,IE=0) GM2222A — 0.01 (VCB=50Vdc,IE=0,TA=125℃) GM2222 — 10.0 μ (VCB=60Vdc,IE=0,TA=125℃) GM2222A — 10.0 Adc Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO (VEB=3.0Vdc, IC=0) GM2222A — 100 nAdc Base Cutoff Current 基極截止電流 IBL (VCE=60Vdc, VEB(Off)=3.0Vdc) GM2222A — 20 nAdc DC Current Gain 直流電流增益 HFE — (Ic=0.1mAdc,VCE=10.0Vdc) 35 — (Ic=1.0mAdc,VCE=10.0Vdc) 50 — (Ic=10mAdc,VCE=10.0Vdc) 75 — (Ic=10mAdc,VCE=10.0Vdc,TA=-55℃) GM2222A 35 — (Ic=150mAdc,VCE=10.0Vdc)(3) 100 300 (Ic=150mAdc,VCE=1.0Vdc)(3) 50 — GM2222 30 — (Ic=500mAdc,VCE=10.0Vdc)(3) GM2222A 40 — Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) GM2222 — 0.4 集電極發射極飽和壓降 GM2222A — 0.3 Vdc (Ic=150mAdc, IB=15mAdc) GM2222 — 1.6 (Ic=500mAdc, IB=50mAdc) GM2222A — 1.0 Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) GM2222 — 1.3 基極發射極飽和壓降 GM2222A 0.6 1.2 Vdc (Ic=150mAdc, IB=15mAdc) GM2222 — 2.6 (Ic=500mAdc, IB=50mAdc) GM2222A — 2.0 ■ELECTRICAL 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Symbol 符號 Min 最小值 250 300 — GM2222 GM2222A Characteristic 特性參數 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=20mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=10.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Intput Capacitance 輸入電容 (VEB=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Intput Impedance 輸入阻抗 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Voltage Feedback Radio 電壓反饋係數 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Output Admittance 輸出導納 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Collector-Base Time Constant 集電極基極時間 (IE=20mAdc,VCB=20Vdc,f=31.8MHz) Noise Figure 雜訊係數 (Ic=100uAdc,VCE=10Vdc,Rs=1.0kQ,f=1.0kHz) ■SWITCHING fT Cobo Cibo hie GM2222 GM2222A Max 最大值 — — 80 30 25 8.0 1.25 8.0 4.0 300 375 35 200 150 4.0 Unit 單位 MHz pF pF — — 2.0 0.25 — — 50 75 5.0 25 — — GM2222A GM2222A kQ -4 hre GM2222A GM2222A ×10 hfe GM2222A GM2222A — μ mhos ps dB hoe GM2222A GM2222A rb,Cc GM2222A NF GM2222A CHARACTERISTICS 開關特性 Symbol 符號 (Vcc=30Vdc,VBE(off)=-0.5Vdc Ic=150mAdc,IB1=15mAdc) (Vcc=30Vdc,Ic=150mAdc, IB1=IB2=15mAdc) Min 最小值 — — — — Max 最大值 10 25 225 60 Unit 單位 ns ns Characteristic 特性參數 Delay Time 延遲時間 Rise Time 上升時間 Storage Time 儲存時間 Fall Time 下降時間 td tr ts tf 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width