GM3356

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3356 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic Rating 額定值 12 20 3.0 100 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極基極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■DEVICE -55to+150℃ MARKING 打標 GM3356(2SC3356)=R25 HFE:50-100; 80-150; 120-220; 200-300 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3356 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(VEB=1.0v,IC=0) Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCB=10v,IE=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓(Ic=10uA) Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓(IE=10uA) DC Current Gain 直流電流增益 (VCE=10v,IC=20mA) Gain Bandwidth Product 增益帶寬乘積(VCE=10v,IC=20mA) Noise Figure 噪声係數 (V CE=10V,Ic= 7mA,f=1.0GHz) Feed-Back Capacitance 反馈電容 (VCB=10v,IE=0,f=1.0MHz) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. Symbol 符號 IEBO ICBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE fT NF Cre Min 最小值 — — 20 12 3 50 — — — Typ 典型值 — — — — — — 7000 — 0.55 Max 最大值 1.0 1.0 — — — 300 — 2.0 1.0 MHz dB pF Unit 單位 μA μA V V V 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM3356 ■DIMENSION 外形封裝尺寸