GM4403

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4403 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 VCEO VCBO VEBO Ic Rating 額定值 -40 -40 -5.0 -600 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Symbol 符號 PD Max 最大值 225 1.8 PD 300 2.4 RΘJA TJ,Tstg 417 Unit 單位 mW mW/℃ mW mW/℃ ℃/W Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■DEVICE 150℃, -55to+150℃ MARKING 打標 GM4403=2T 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM4403 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Symbol 符號 V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓(Ic=-0.1mAdc,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓(IE=-0.1mAdc,Ic=0) Base Cutoff Current 基極截止電流 (VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCE=-35Vdc, VEB=-0.4Vdc) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width