GM6411

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM6411 SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管 ▉FEATURES 特點 Characteristic 特性參數 Power dissipation 耗散功率 Forward Current 正向電流 Reverse Voltage 反向電壓 Junction and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 ▉DEVICE Symbol 符號 PD(Ta=25℃) IF VR TJ,Tstg Max 最大值 225 500 20 Unit 單位 mW mA V 125℃,-40to+150℃ MARKING 打標 GM6411=D2E· ▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓 (IR=600uA) Reverse Leakage Current 反向漏電流 (VR=20V) Forward Voltage(Test Condition)正向電壓 IF= 10mAdc IF= 50mAdc IF= 100mAdc IF=500mAdc Diode Capacitance 二極體電容 (VR=10V, f=1MHz) ▉SOT-23 内部结构 1 Symbol 符號 V(BR) IR Min 最小值 20 — Max 最大值 — 50 230 280 320 480 20 Unit 單位 V uA VF — CD — mV pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM6411 ■DIMENSION 外形封裝尺寸