桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8050
特點 Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大 Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動 Complementary to GM8550 与 GM8550 互补
■FEATURES ■最大額定值(Ta=25℃)
CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current 集電極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度
■DEVICE
Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO
Rating 額定值 40 25(GMC6802) 25 18(GMC6802) 5.0 500(S8050A,S8050) 1000(M8050) 1200(MMT8050) 1500(SS8050) 1800(GMC6802) 225 150 -55〜150
Unit 單位 Vdc Vdc Vdc
Ic
mAdc
PC Tj Tstg
mW
℃ ℃
MARKING 打標 S8050=J3Y M8050=Y1. SS8050=Y.1 GMC6802=6802 放大倍數分檔
S8050A=J3Y. MMT8050=Y1
■HFE RANGE
HFE
(85〜150), (120〜220) (200~300), (280~400)
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GM8050
CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
■ELECTRICAL
Characterstic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流
Collector-Base Breakdown Voltage
Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE(1)
Test Condition 測試條件 VCB=30V,IE=0 VEB=5V,IC=0 IC=100μA
(GMC6802)
Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位
—
—
0.1
μA μA
V
— 40 (25) 25 (18) 5
—
0.1
集電極-基極擊穿電壓
Collector-Emitter Breakdown Voltage
—
—
IC=10mA
(GMC6802)
集電極-發射極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
—
—
V
發射極-基極擊穿電壓
IE=100μA VCE=1V,IC=100mA VCE=1V, IC=1800mA(GMC6802)
—
—
V
85
—
400
DC Current Gain 直流電流增益
50 40 40 30
— — —
HFE(2)
IC=800mA
(M8050,MMT8050,SS8050)
—
Ic=500mA(S8050) Ic=500mA(S8050A)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容
VCE(sat) VBE fT Cob
IC=500mA, IB=50mA VCE=1V,IC=10mA VCE=5V,IC=10mA VCB=10V,IE=0,f=1MHz
—
0.6
V
—
0.8
1.0
V
100
120
—
MHz
—
13
30
pF
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GM8050
■DIMENSION
外形封裝尺寸
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