GM9013

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好 hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V,Ic=400mA. Complementary to GM9012 与 GM9012 互补 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Tj Tstg Rating 額定值 40 30 5.0 500 50 300 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc mW ℃ Characteristic 特性參數 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base-Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE ℃ MARKING 打標 GM9013=J3 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collect-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE(1) hFE(2) VCE(sat) Test Condition 測試條件 VCB=35V,IE=0 VEB=5V,IC=0 IC=100μA IC=1.0mA IE=100μA VCE=1V,IC=100mA VCE=6V,IC=400mA IC=500mA, IB=50mA VCE=1V,IC=100mA Min TYP Max 最小值 典型值 最大值 — Unit 單位 — 0.1 μA μA V — — 0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage 40 — — 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 30 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 5 70 25 — — — — — — 400 V — — 0.6 V 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 VBE — 0.8 1.0 V fT VCE=6V,IC=20mA VCB=6V,IE=0, f=1MHz 150 300 — MHz Cob — 7.0 10 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9013 ■DIMENSION 外形封裝尺寸