GM9014

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好：HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE 高 HFE：HFE=200〜700 Low Noise 低雜訊：NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 与 GM9015 互补 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Tj Tstg Rating 額定值 50 45 5.0 150 30 225 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc mW ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE ℃ MARKING 打標 GM9014=J6 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE Test Condition 測試條件 Min Typ Max Unit 最小值 典型值 最大值 單位 VCB=50V,IE=0 VEB=5V,IC=0 IC=100μA IC=1.0mA IE=100μA VCE=6V,IC=2mA — — 0.1 μA μA V — — 0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 50 — — 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 45 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 5 — — V 200 — 700 — 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 VCE(sat) IC=100mA, IB=5mA — — 0.3 V VBE VCE=5.0V,IC=10mA — — 0.82 V fT VCE=5.0V,IC=10mA VCB=10V,IE=0, f=1MHz 100 180 — MHz Cob — 4.0 7.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 ■DIMENSION 外形封裝尺寸