GM9015

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 ■FEATURES 特點 Excellent HFE Linearity HFE 線性特性極好：hFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) Low Noise 低雜訊：NF=1dB(Typ.),10db(Max.). Complementary to GM9014 与 GM9014 互补 ■MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) 最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Tj Tstg Rating 額定值 -50 -45 -5.0 -150 -30 225 150 -55〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc mW ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE ℃ MARKING 打標 GM9015=M6 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO hFE Test Condition 測試條件 Min Typ Max Unit 最小值 典型值 最大值 單位 VCB=-50V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 IC=-100μA IC=-1.0mA IE=-100μA VCE=-6V,IC=-2mA — — -0.1 μA μA V — — -0.1 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage -50 — — 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage -45 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage -5 — — V 200 — 700 — 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 VCE(sat) IC=-100mA, IB=-5mA — — -0.6 V VBE VCE=-5.0V,IC=-10mA — — -0.82 V fT VCE=-5.0V,IC=-10mA VCB=-10V,IE=0, f=1MHz 100 180 — MHz Cob — 4.0 7.0 pF 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9015 ■DIMENSION 外形封裝尺寸