GMA06

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA06 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic IB PC Rating 額定值 80 80 4.0 500 50 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mAdc mAdc Characteristic 特性參數 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Base-Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 300 mW Tj 150 ℃ Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 MMBTA06=1GM 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA06 CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Collector Emitter Current 集電極發射極電流 Collect-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO Test Condition 測試條件 VCB=80V,IE=0 Min. Typ. Max. Unit 最小值 典型值 最大值 單位 — — 0.1 μA ICES VCE=60V, VBE=0 — — 0.1 μA 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC=100μA 80 — — V 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=1.0mA 80 — — V 發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100μA 4 — — V DC Current Gain 直流電流增益 hFE(1) hFE(2) VCE=1V,IC=10mA VCE=1V,I C=100mA IC=100mA, IB=10mA VCE=1V,IC=100mA 100 — — — 100 — — Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 VCE(sat) — — 0.25 V VBE — — 1.2 V fT VCE=2V,I C=10mA 100 — — MHz 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA06 ■DIMENSION 外形封裝尺寸