GMA6801

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA6801 特點 Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動 Complementary to GMC6802 與 GMC6802 互補 ■FEATURES ■MAXIMUM RATINGS 最大定額值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Rating 額定值 -25 -18 -5.0 -1800 -180 300 Unit 單位 V V V mA mA mW CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current-Pulse 集電極電流-脉冲 Base Current 基極電流 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 Ic IB PC Tj 150 ℃ Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GMA6801=6801 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA6801 CHARACTERISTICS 電特性 （TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃ ） ■ELECTRICAL Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO Test Condition 測試條件 VCB=-15V,IE=0 VEB=-4V,I C=0 IC=-100μA IC=-1mA IE=-100μA VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-2000mA IC=-1000mA, IB=-100mA IC=-2000mA, IB=-200mA Min Typ 最小值 典型值 — — Max 最大值 -150 Unit 單位 nA nA V — — -150 集電極-極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage -25 — — 集電極-射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage -18 — — V 發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO HFE(1) HFE(2) VCE(sat1) -5 — — V 85 — 400 — DC Current Gain 直流電流增益 50 — — — — -0.3 V Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 VCE(sat2) — — -0.5 V 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA6801 ■DIMENSION 外形封裝尺寸