GMA733

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM A733 ■MAXIMUM RATINGS (T a=25℃) 最大額定值 Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic PC Tj Tstg Rating 額定值 -60 -50 -5.0 -150 200 150 -55 〜150 Unit 單位 Vdc Vdc Vdc mA mW ℃ ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極 -基極電壓 Collector-Emitter Voltage 集電極 -發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極 -基極電壓 Collector Current-Continuous 集電極電流 -連續 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 ■DEVICE MARKING 打標 GMA733(A733LT1)=CS HFE:120-220 200-475 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM A733 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃ ) Characteristic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Symbol Test Condition Min Typ Max Unit 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE VCE(sat) VBE fT VCB=-60V, I E=0 VEB=-5V, IC=0 IC=-5 μA IC=-1.0mA IE=-5 0μ A VCE=-6V, IC=-1mA I C=-100mA, IB=-10mA VCE=-6V, IC=-1mA VCE=-6 .0V, IC=-10mA — — -60 -50 -5 120 — — 50 — — — — — — — — — -0.1 -0.1 — — — 475 -0.3 -0.68 — μA μA V 集電極 -基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極 -發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Votlage 發射極 -基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極 -發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation 基極 -發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 V V — V V MHz 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM A733 ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位 (UNIT)： mm