GMB772

桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMB772 TO-126 晶體管(TO-126 Transistors) 功能 PNP Si transistor suited for the output stage of 3W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. PNP 矽三極管，適用于 3W 輸出的音頻放大，電壓調整，DC-DC 轉 換和繼電器驅動。 ■FEATURES 特點 Low saturation voltage 低飽和壓降 Excellent hFE linearity and high hFE 好線性和高的放大倍數 ■DESCRIPTION ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Symbol 符號 VCBO VCEO VEBO Ic Ic PC Tj Tstg Rating 額定值 -40 -30 -5.0 -3.0 -7.0 3 150 -55〜150 Unit 單位 V V V A A W ℃ ℃ CHARACTERISTIC 特性參數 Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 Collector Current DC 集電極電流-连续 Collector Current pulse 集電極電流-脉冲 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Junction Temperature 結溫 Storage Temperature Range 儲存溫度 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMB772 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 Symbol 符號 ICBO IEBO V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO HFE(1) HFE(2) VCE(sat) VBE(sat) fT Cob Test Condition 測試條件 VCB=-30V,IE=0 VEB=-5V,IC=0 IC=-100μA IC=-10mA IE=-100μA VCE=-2V,I C=-20A VCE=-2V,I C=-1A IC=-2A, IB=-200mA IC=-2A, IB=-200mA VCE=-5V,IC=-100mA VCB=-10V,IE=0,f=1MHz (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characterstic 特性參數 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 Collector-Base Breakdown Voltage Min 最小值 TYP 典型值 Max 最大值 Unit 單位 — — — -1.0 -1.0 μA μA V — 集電極-基極擊穿電壓 Collector-Emitter Breakdown Voltage -40 — — 集電極-發射極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage -30 — — V 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector Saturation Voltage -5 30 — — — — — — V — 60 — 400 -0.5 V 集電極飽和壓降 Base Saturation Voltage 基極飽和電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 ■DEVICE — — -2.0 V — 80 — MHz — 55 — pF MARKING 打標 GM B772 E 放大倍數分檔 GM B772 P ■HFE RANGE 160-320 P 200~400 E 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMB772