桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS40-04
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BAS40-04) ▉FEATURES 特點 Characteristic 特性參數 Power dissipation 耗散功率 Forward Current 正向電流 Reverse Voltage 反向電壓 Junction and Storage Temperature 結溫和儲藏溫度 ▉DEVICE MARKING 打標 BAS40-04=CB
▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
Symbol 符號 PD(Ta=25℃) IF VR TJ,Tstg
Max 最大值 225 100 40
Unit 單位 mW mA V
-55to+150℃
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic 特性參數 Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓 (IR=10uA) Reverse Leakage Current 反向漏電流 (VR=25V) Forward Voltage(Test Condition)正向電壓 IF= 1mAdc IF= 10mAdc IF= 40mAdc Diode Capacitance 二極體電容 (VR=1V, f=1MHz) Reverse Recovery Time 反向恢復時間
▉SOT-23 内部结构
Symbol 符號 V(BR) IR
Min 最小值 40 —
Max 最大值 — 1 380 500 1000 5 5
Unit 單位 V uA
VF — CD
Trr
mV
— —
pF nS
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS40-04
■DIMENSION
外形封裝尺寸
很抱歉,暂时无法提供与“GMBAS40-04”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货